EUV光刻机是生产高精尖芯片的必备工具，全球仅有荷兰的ASML能够实现量产，ASML凭此赚的盆满钵满。但是全球各大科技企业都没有放弃自研光刻机的步伐，而美国巨头美光宣布，成功绕开“光刻机”实现芯片封装！

那么美光是如何实现的该项技术突破，该项技术将对全球半导体市场造成怎样的影响？对于我国的半导体产业来说是好消息还是坏消息呢？

一、光刻机的工作原理

要了解美光的技术突破之前，我们需要先了解一下光刻机的工作原理。光刻机之所以是全世界最难被突破的技术，主要有三个方面比较难突破。光刻机的本质是在硅基芯片上进行镌刻，但是由于精度太高，寻常的镌刻技术并不能实现。

现如今最先进的芯片制程已经达到了3nm甚至台积电都开始研发2nm芯片的光刻技术，寻常的材料根本无法作为光刻工具，头发丝在硅基芯片面前都算是庞然大物，就算是光线也显得“太宽”。

因此寻常光线并不能作为光刻机的原料，而EUV光刻机则是采用特殊波长的极紫外线进行镌刻，制造这种特殊波长的极紫外线是第一个技术难点。

第二个则是如何令极紫外线在硅基芯片中进行成像，这就需要特殊的化学物质光刻胶，以及特殊的折射方式来进行镌刻，这三种难点组合起来，形成了科技领域金字塔级别的产品光刻机。那么美光又是如何绕过它的呢？

二、美光绕过光刻机

美光发布了全新的DRAM内存片，单片性能提高最多15%，并且存储的密度达到了35%的提升，可谓是性能强劲，但是其规避了EUV光刻机，仅用DUV光刻机进行制作才是它最大的卖点。

美光之所以能够绕过光刻机，是因为其使用了一种叫做1β(1-beta)的技术。该技术对于光刻机的三大技术难点进行了合理的拆解，并通过规避的方式实现了技术的突破，首先便是极紫外线的制作，这一点除了ASML都无法找到正确的区间，就算是找到了波长的空间也无法制作。

但是美光另辟蹊径，用DUV光刻机的深紫外光线进行加工，其中放上一层镜面设置，通过折射缩短了光线的波长，使之达到了需要的波长。其次则是采用多层图像分别镌刻的模式，令光线可以被镌刻在硅基芯片上。最终则是定制的光刻胶，在这一点上ASML并没有形成垄断，反倒是日本企业占据着市场接近80%的市场。

而随着三个光刻机难题都被解决，美光成功研发出了不需要EUV光刻机的高精尖芯片，那么这将对全球半导体产业带来怎样的影响？对于我国半导体产业来说是好是坏呢？

三、美光绕过“EUV光刻机”造成的影响

美光绕过了光刻机，将对全球半导体产业进行全面的洗牌，ASML一家独大的局面或将一去不复返。要知道全球半导体企业苦ASML久矣，如果真能实现绕开光刻机，那么全球大量的企业都必然能够实现高精尖芯片的量产，彼时芯片的价格将大幅下跌，各国芯片产能将迅速增加。

而失去了引以为傲的EUV光刻机技术专利之后，为了维持企业的日常生计，ASML必然会对EUV光刻机进行倾销，彼时中国便可以买到便宜的EUV光刻机，从而进行本国高精尖芯片的量产，从而令如今无法制作高精尖芯片的难题一去不返。

而虽然美光实现了去光刻机化非常振奋人心，但是那仅仅只是DRAM芯片存的了成功，其实就是个存储芯片，距离真正的核心芯片应用还需要大量的实践，二者的研发难度不可同日而语。因此美光算是开了一个好头，但是想要脱离对于光刻机的依赖仍旧任重道远。

但是各大企业也在纷纷进行尝试，像是华为的芯片堆叠、通富微电的芯粒技术，以及美光的储存芯片，都在探索半导体产业去光刻机化的可能性，相信随着无数科研工作者的努力，半导体去光刻机化或许就在明天。

结语

美光利用1β(1-beta)技术绕过了光刻机，实现了芯片的量产，但是仅处于初级阶段，未来仍旧受到ASML光刻机的限制。但是随着科研工作者的不断努力，相信未来的半导体产业必将实现去光刻机化。
对于美光绕过EUV光刻机大家有什么想说的？大家觉得未来去光刻机化会成为现实吗？欢迎在评论区进行留言讨论。