韩国研究人员实现半导体材料在纳米级上“快速自由雕刻”

据lanews24网3月9日报道，韩国蔚山国立科学技术院宣布，该院化学系Oh-Hun Kwon教授的团队使用飞秒（10的-15次方秒）激光在半导体黑磷中形成纳米级精度的微图案材料，成功制作出了各种类型的纳米结构。

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研究团队在研究过程中将可见光对应波长为515纳米(nm)的光照射到黑磷样品上，制造出了宽度相当于光波长1/10、间距1/100的纳米丝带排列，达到可以用 EUV 曝光设备表达的图案最小线幅的分辨率。

无论黑磷样品的晶体结构如何，都可以根据照射光的偏振改变带状物的形成方向，或自由制造各种类型的纳米结构，如立方体和环形。这与只能创建具有特定晶体方向的纳米结构的合成方法不同。

化学系Kwon Oh-hoon教授表示：“这是首次使用透射电子显微镜实现大视野光刻和图案形成过程的实时观察，同时实现高分辨率的精确图案，一种二维半导体材料。”这项研究拓宽了对材料之间非线性相互作用的理解，并证实了开发基于光学现象的下一代半导体器件制造技术的可能性。

（编译：王天容）