中国光刻机的起步，落后，追赶的历史

当今荷兰ASML完全垄断10纳米以下光刻机市场。其EUV光刻机有10万个零件，重180吨，包含13个系统。5000多个供应商荷兰本土约1600个，占比32%；北美和亚洲1350个，各27%。

美国垄断着其极紫外光源等核心部件。所以美国可以禁止出口中国。也禁止使用美国技术的台积电为大陆代工，导致华为已经领先美国高通和苹果的5G手机芯片生产卡然而止。

面对卡脖子设备，上海微电，中国电科正在突破DUV光刻机，而长春光机所主攻最高端的EUV光刻机。

我国光刻机曾经离世界先进水平并不遥远：

1961年，美国制造出了第一台接触式光刻机。1974年美国推出世界首台投影式光刻机。摩托罗拉接触式光刻6800微处理器295美金，MOS科技用投影式光刻作出的性能飞跃都芯片价格仅25美元。技术代差，降维打击。

1977年，我国最早的光刻机-GK-1型半自动光刻机诞生。1979年上海元件五厂和无线电十四厂甚至成功仿制英特尔公司1974年推出的8080CPU，比德国仿制成功还早一年。

1978年，美国推出步进式光刻机DSW4800。

1982年科学院109厂的步进式KHA-75-1光刻机，跟当时最先进的日本佳能差不到4年。

1985年，机电部45所研制出了分步光刻机样机。在分步光刻机上与美国最新的DSW4800的差距7年。

年代底，中国开始奉行的“造不如买”的政策，以联想为代表的企业纷纷以“贸工技”为指导思想。抛却独立自主方针，购买外国产品赚快钱。

中国的集成电路在科研，教育以及产业方面出现了脱节，中国独立的科研和产业体系被打断，研发方面是单打独斗，科研成果转化成产品的微乎其微。中国半导体在五十年代到七十年代创造的盛景成了泡沫。

九十年代，光刻光源已被卡在193纳米无法进步长达20年，难点2002年被台积电的林本坚博士所攻破，他在一次研讨会上提出了浸入式193nm的方案，最终通过获得成功。

2002年，上海微电子装备有限公司承担了“十五”光刻机攻关项目，中电科45所把此前从事分步投影光刻机的团队迁到了上海，参与这个项目。至2016年，上海微电子已经量产90纳米、110纳米和280纳米三种光刻机，其中性能最好的是90nm光刻机。

2017年6月21日，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所牵头研发的“极紫外光刻关键技术”通过验收。

2018年11月29日，中科院研制的“超分辨光刻装备”通过验收。光刻分辨力达到22纳米，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10纳米级别的芯片。

在2022年的第一季度当中，阿斯麦一共销售的62台光刻机设备中，中国大陆的占比为34％。DUV深紫外光刻机已经放开。这说明，中国自己的DUV量产在即。

EUV，依然任重道远。

加油，中国。