2019年美国德州大学奥斯汀分校的Deji Akinwande等人报道了利用单原子层厚度的氮化硼制作出了世界上最薄的忆阻器,但是其对于阻变机理的解释为金属原子在氮化硼表面的吸附和反吸附过程。对比,我们提出质疑,如果只有吸附和反吸附两个态为何I-V曲线中会有多种高阻态的出现?对于文中所提出的机理需要25%的缺陷浓度来维持足够的信号比,单原子层的氮化硼能否实现如此高的缺陷浓度?
对此,吉林大学李贤斌课题组通过建立原子尺度的器件模型,研究原子忆阻器工作过程中的原子迁移和电子输运过程,对于原子尺度下的阻变机理提出了不同的见解,为原子忆阻器的发展提供了新的认识,我们的研究成果发表在权威期刊Applied Physics Letters ,欢迎大家阅读:https://doi.org/10.1063/5.0098120
更新时间:2024-09-02
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