TCL中环获得发明专利授权:“一种硅粉成型方法、硅块及应用”

证券之星消息,根据企查查数据显示TCL中环(002129)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种硅粉成型方法、硅块及应用”,专利申请号为CN202311132120.2,授权日为2026年11月10日。

专利摘要:本申请公开了一种硅粉成型方法、硅块及应用,属于单晶生长技术领域。本申请的硅粉成型方法,包括以下步骤:使装有硅粉的模具置于第一压力P1条件下,持续第一压力时间T1,满足:50MPa≤P1≤600MPa,7min≤T1≤15min,得到硅块;施加第一压力的介质为液体。本申请通过压力控制,使得成型后的硅块易于从模具中取出,不破碎扬尘,既在填料时易于破碎,且破碎后的粒径分布易于控制。本申请成型后的硅块可以直接在直拉单晶生产中应用,装料密度提升至0.18g/cm3~0.25g/cm3。

今年以来TCL中环新获得专利授权21个,较去年同期增加了600%。结合公司2026年中报财务数据,今年上半年公司在研发方面投入了3.58亿元,同比减17.78%。

通过天眼查大数据分析,TCL中环新能源科技股份有限公司共对外投资了35家企业,参与招投标项目115次;财产线索方面有商标信息5条,专利信息223条,著作权信息1条;此外企业还拥有行政许可53个。

数据来源:企查查

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更新时间:2026-11-12

标签:科技   方法   压力   专利   信息   装料   模具   粒径   扬尘   数据   大数

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