长鑫存储、长江存储，谁更厉害？

合肥的长鑫存储和武汉的长江存储，到底谁更厉害？

首先我们要先搞懂，长鑫存储制造的DRAM和长江存储制造的NAND Flash，这两种存储芯片究竟有什么区别

这是一台电脑，它的计算大脑我们称之为CPU

如果拿厨房类比：

CPU就是厨房里的主厨，他负责烹饪工作

厨师随手拿调料的地方，我们叫它缓存，比如盐、糖、酱油都放在调料架上，厨师一伸手就能拿到

比缓存稍微远一点的地方，我们叫做内存，类似于厨房里的备料台，上面摆着已经切好的食材和配菜，厨师跨一步就能够到

比内存更远的地方，我们叫它硬盘，类似于冰箱，它是平时存放食材的地方，所有备用的肉、菜、调料都冻在里头

缓存芯片叫SRAM，静态随机存取存储器，它被集成在CPU内部，读写速度极快，但容量极小

内存芯片叫DRAM，动态随机存取存储器，它被焊在主板上的内存条里，读写速度比较快，容量适中

硬盘芯片叫NAND Flash，它被封装在固态硬盘里，读写速度最慢，但容量最大

如果从光刻精度上来讲，SRAM精度最高，其次是DRAM，最后是NAND Flash

目前，SRAM的制程已经来到了台积电的3nm

量产DRAM差不多是10nm~17nm级别

而目前主流NAND的光刻精度还停留在30nm~40nm级别

也就是说，这三种存储芯片对光刻机先进程度的要求，SRAM > DRAM > NAND

SRAM我们先不管，它一般由CPU厂商自己生产，市面上流通的SRAM规模很小，所以其实大部分普通人根本没听过SRAM的存在

下面我们只比较长鑫存储生产的DRAM和长江存储生产的NAND Flash

可以这么说：

能生产DRAM的厂商，基本上能生产NAND，但反过来却难如登天

所以如果论各自产品赛道的制造难度，合肥的长鑫存储一定是要比武汉的长江存储更高的

但关键是：

虽然赛道难度长鑫高、长江低

但它俩各自在其赛道中的领先程度，却是长鑫低、长江高

具体怎么回事呢？

想要搞清楚这个问题，必须要深入到DRAM和NAND Flash的技术细节才行

下面我会用最通俗的语言和大家聊清楚

首先大家要知道，不管是内存条里的DRAM，还是硬盘里的NAND Flash，它们存储的原理都是通过一个个存储单元，记录0或1

但因为前者对读取速度的要求比后者高出1000多倍，且使用场景不同，所以它俩选择的技术路线也完全不同

长鑫存储生产的DRAM，使用的存储器是一个个电容

有电→代表1

没电→代表0

制造难点在于，电容会漏电，只要稍微漏一点，1就变成了0，你的数据就错了

所以DRAM必须不停地给这些电容「重新通电」，专业术语叫刷新

你的电脑只要一断电，不刷新后，电容上的电瞬间漏光，数据就全没

这个刷新的频率有多高呢？

内存控制器每秒发出大约12.8万次的刷新指令

整块内存里的所有数据，每秒被完整翻新大约15.6遍

就是这么变态！

所以难点不仅在于需要在指甲盖大小的地方，刻出几十亿个极小、极深的电容

而且更要保证几十亿个电容必须完全一致，只要有一个漏电漏得比别人快，整颗芯片就报废

也就是说，DRAM对缺陷几乎是零容忍

这对材料学和光刻精度以及制造稳定性的要求简直是变态级的，是在挑战微观物理的极限

而长江存储生产的NAND Flash难点又在哪呢？

NAND的存储单元不是电容，而是一个个带锁的「小抽屉」，专业名词叫浮栅晶体管

相当于把电子关进一个绝缘的小房间里，锁上门

因为绝缘，断电了电子也跑不出来，所以数据能永久保存

NAND不卷二维空间「小抽屉」的平面密度，光刻精度只停留在30nm~40nm级别

但它卷的是三维空间上的堆叠技术

这就是著名的3D NAND技术

长江存储凭借自研的「晶栈」架构，像搭积木一样，把存储单元往天上叠，盖到了200多层甚至300层

区别通俗来讲：

传统闪存的做法，是把「存数据的抽屉」（存储单元）和「管数据的物业」（外围电路）建在同一层

而长江存储的做法是分开盖：

在一片晶圆上专门盖「存数据的房间」，在另一片晶圆上专门盖「管数据的物业」，最后再粘在一起，最终实现了更高的层数的叠加以及更快的传输速率

就是依靠这个「独门绝技」，长江存储不仅追平了三星、美光，甚至在某些专利和技术上实现了反超

去年就有报道称，三星已与长江存储签署专利许可协议，将在其下一代NAND产品中使用后者的混合键合技术专利

而长鑫存储相对于国外巨头，目前的技术水平如何呢？

网上很多人都说，长鑫并没有掌握DRAM的底层技术，它的底层技术是买来的，来自德国公司奇梦达破产后的「技术遗产」

其实这是一大误解

长鑫继承了奇梦达的「技术遗产」这是事实，但很多人不知道的是，这份遗产只是一张「入场券」而已

芯片行业有个潜规则：你只要在市面上卖一颗DRAM芯片，三星、海力士、美光随时可以跳出来告你侵权，用专利诉讼把你告到倾家荡产，让你一颗芯片都卖不出去

奇梦达的上万项专利，就像一面盾牌，长鑫把它买下来，不是为了照着造芯片，而是为了告诉三大巨头：

「你告我？行，我手里也有专利，咱们互相告，看谁先撑不住」

因为奇梦达曾经是全球第二大DRAM供应商，经过很多年的发展，它和三星、sk海力士之间的生产工艺和技术路线，相互借鉴、相互融合，谁也没法说谁

在半导体这个极其讲究「专利壁垒」的江湖里，如果你手里没有足够厚的专利护城河，人家一纸诉状就能让你的产品在全世界下架，让你连牌桌都上不去

这就是所谓的「入场券」

对于长鑫来说，奇梦达的「技术遗产」确实重要，但只是一个身份标识，绝对不是什么拿来就能用的「技术图纸」

原因很简单，大家稍微想一下就知道了，DRAM行业的技术迭代速度是以年为单位的，一、两年就要迭代到下一个版本

奇梦达2009年破产的，它的底层技术停留在70纳米级别，而长鑫存储2019年第一款产品量产时已经是19纳米，中间已经好多代了，就连整体的技术路线都不一样了

奇梦达当年死磕的是把存储电容「往地下挖深坑」的「沟槽式」，这条路早就被物理极限堵死了

而长鑫果断抛弃了这条死胡同，全面采用了和三星、海力士一样把电容「往天上盖楼」的「堆叠式」

所以大家明白了吧？

真正限制长鑫发展的问题是出在光刻机禁售上

前面说了，DRAM巨头们比拼的核心是：谁能把电容刻得更小、更密、更稳定

目前，三星、SK海力士已经把工艺推进到了10纳米级别的第4代、第5代，并且早就用上了极紫外光刻机（EUV）这种「大杀器」

而长鑫存储目前量产的主力还在17纳米-15纳米级别，正在努力向更先进的12纳米冲刺

因为缺乏EUV（极紫外）光刻机，长鑫只能用现有的DUV（深紫外）光刻机，通过多重曝光等极其复杂的工艺「硬抠」出更小的线条

这就好比别人已经用上了激光雕刻机，你只能用放大镜和手术刀去雕花，难度可想而知

简单说就是「带着镣铐跳舞」

搞懂了以上这些细节，我们再回到最初的问题：

长鑫存储和长江存储，到底谁更厉害？

它俩都是国人的骄傲

如果非要分个高下：

比「国际竞争力」和「技术领先度」，长江存储更胜一筹

比「赛道难度」和「战略兜底」，长鑫存储更让人敬佩

一个是在无人区里开荒拓土，硬生生闯出一条新路

一个是在绝壁上凿石开路，每一步都踩在刀尖上

没有谁比谁更「厉害」，只有分工不同而已

目前两者最新的经营数据是：

长鑫存储在2026年第二季度的全球DRAM市场中，份额7%，营收600多亿元，同比暴涨716%

长江存储在2026年第一季度的全球NAND市场中，份额13%，营收200多亿，同比增长约100%（二季度数据还没公布）

这两个数据乍一看，长鑫比长江厉害太多了，前者营收是后者的三倍，增速是后者的7倍

但其实份额也是非常重要的关键数据

一个是7%，一个是13%，差了几乎一倍

而且更关键的是，根据近一年多每个季度市占率的变化情况可以看出

长鑫存储在去年Q4已经达到了7%以上的份额

之后两个季度不仅没怎么增长，反而还略微倒退了一些

而长江存储近一年多，每个季度的市占率稳步增长

这也验证了我上面给出的结论：

论赛道难度，长鑫高、长江低

但如果论它俩在各自赛道中的领先程度，则是长鑫低、长江高

最后让我们畅想一下未来：

长鑫存储和长江存储，距离量产最高端的HBM芯片还有多远？

大家都知道HBM芯片是为AI训练、推理服务的

从去年开始，内存和硬盘一直在涨价，罪魁祸首就是它

因为AI需求爆发，三星、SK海力士、美光这些存储巨头都去做利润更高的HBM芯片了，导致DRAM和NAND Flash的供给能力骤降

那HBM芯片究竟是什么呢？

它本质上也是DRAM芯片的一种

是基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，属于高带宽内存

简单讲就是为了提高DRAM芯片，也就是内存和GPU之间的沟通速度

将多个DRAM芯片通过3D堆栈工艺垂直堆叠在一起

提到「3D」、「垂直」、「堆叠」这些词，大家是不是想到了长江存储的NAND Flash？

它自研的「晶栈」架构，不就是像搭积木一样，把存储单元往天上叠，盖到几百层以上的？

长江存储能不能用这个技术和长鑫存储合作，搞出HBM？

还真可以！

其实早在2025年9月份就有媒体传出这两家正在联手公关HBM芯片

根据媒体的最新消息，长鑫已经推出HBM3样件，向华为等国内AI芯片厂商供货，正处于量产前的验证环节

而当下大厂量产的主流产品是HBM3E，根据长鑫的规划，需要2027年才能实现

同时也有消息透露，长江存储位于武汉的三期新厂计划将一半产能用于DRAM制造，并且研发HBM4及以上的新一代高带宽内存

当然这些消息大家听听就行了，一切还要等到产品落地后才能证实