中国5nm制程芯片：幻想还是现实？外媒聚焦！

中国5nm芯片制造的突破与挑战——从幻想到一步之遥

近年来，随着信息技术的飞速发展，芯片制造工艺不断突破物理极限，向着更小、更快、更强的方向evolve。作为全球最大的电子产品制造国和消费国，中国对先进芯片的需求与日俱增。受制于人的＂卡脖子＂困境，也让中国深感芯片自主可控的重要性。在这样的背景下，中国集全国之力发展半导体产业，力图在尖端芯片制造领域实现弯道超车。

最近，一则消息让业界为之振奋——中国大陆晶圆厂正在利用DUV（深紫外光刻）技术，尝试制造5nm芯片，最快将于2024年推出。要知道，5nm工艺是当前全球最先进的商用芯片制程，目前只有台积电、三星等少数厂商能够量产。中国芯片制造工艺能否如期跨入5nm门槛，对中国半导体产业乃至整个科技实力的提升，都具有里程碑式的意义。

那么，中国的5nm芯片梦，究竟是一厢情愿的幻想，还是指日可待的现实？对此，业界有着不同的看法和分析。

支持者认为，中国在5nm芯片制造方面取得的进展，是中国芯片产业韧性的体现。尽管遭受美国的全面技术封锁，中国仍在关键领域突破重围，正印证了＂卡脖子＂越紧，发展的动力越足的道理。浸没式光刻之父林本坚就曾表示，从光刻设备的角度看，中国目前已经拥有了将制程工艺推进到5nm的能力，美国的限制是徒劳的。理论上，DUV光刻通过多重曝光，最高可以实现2nm以下的制程。如果中国真的实现了5nm芯片的量产，意味着可以制造覆盖全球97%的芯片，美国的制裁将成为一个笑话。

另一些专家学者却认为，中国离5nm芯片的量产还有很长的路要走。5nm工艺比7nm更加复杂，面临功耗、良率等诸多技术挑战。即便是现有量产5nm芯片的厂商，在性能和功耗的平衡上也还不尽如人意，更何况是中国这样的＂新玩家＂。况且，采用DUV光刻制造5nm芯片，需要多重曝光，会显著降低良率，提高成本，这对产业化形成很大阻碍。先进制程对制造设备、材料的要求极高，需要庞大的人才队伍，中国在这些方面还有较大差距。因此，中国虽然取得了技术突破，但要实现5nm的大规模量产，还为时尚早。

笔者认为，对待中国5nm芯片制造，需要辩证地看待，既不能妄自菲薄，也不能好高骛远。毋庸置疑，中国在极其艰难的条件下，依然取得了5nm芯片制造的突破性进展，这本身就殊为不易，证明了中国芯片产业的潜力和决心。同时我们也要看到，弯道超车绝非一蹴而就，5nm芯片制造不仅是一个技术问题，更是对中国综合国力的考验。我们要直面在人才、装备、材料等方面存在的差距，扎扎实实地补齐短板，在攻坚克难中积累经验，完善体系，最终实现5nm乃至更先进制程的自主可控。

纵观全球半导体产业发展史，无数事实证明，核心技术是买不来、要不来、讨不来的，只能依靠自主创新。中国要想掌握芯片的核心技术，必须走自主化道路。我们要立足国情，发挥新型举国体制优势，在产学研用各环节系统发力，做好顶层设计和长远规划，加大研发投入，完善产业链条，打造创新生态，为尖端芯片研发提供坚实支撑。同时，要保持战略定力，既不能急于求成，也不能畏难不前，要一步一个脚印地积累，在攻坚克难中推动核心技术突破。

中国5nm芯片制造取得的进展，离不开几代中国人的接续奋斗。中国要实现＂从0到1＂的跨越，把＂芯片梦＂变为现实，让＂中国芯＂挺立世界舞台，还需要我们付出更多努力。我们要增强使命感和责任感，坚定创新自信，矢志不渝走自主化道路。只要我们上下一心，团结奋斗，就一定能够实现＂中国芯＂的百年梦想，为民族复兴铺就坚实之基。