中国的内存自给率不到15%

据eeNews报道，美国于 2022 年 10 月制定的贸易限制措施对中国的存储芯片行业构成了重大挑战，但市场分析师 Yole Group 表示，没有迹象表明中国会退缩。

Yole Group 表示，中国是 NAND 闪存和 DRAM 组件的重要买家，中国企业购买了全球 IDM 生产的 NAND 和 DRAM 产品的 30% 以上，而中国在内存方面的自给率目前估计低于 15%。中国内存消费与生产之间的巨大差距正在推动该国在本地生产越来越多的 NAND 和 DRAM 晶圆的强烈愿望。

2022 年按地区划分的半导体存储器销售额。

此前苹果关于国内存储厂商可以为其智能手机提供 NAND 闪存的想法很快就被否决了，目前其智能手机由鸿海精密工业（富士康）在中国为苹果组装。并且在2022年10月，美国对芯片制造设备的供应设置了额外的限制，并将国内存储厂商加入了所谓的“实体清单”。

Yole 表示，国内存储厂商目前正在国内出货 64 层和 128 层 NAND，其创新的 Xtacking 3.0 架构得更先进产品还处于早期生产阶段。由于缺乏主要设备供应商的支持，国内存储厂商的晶圆产能实际上限制在每月 115000 至 120000 片晶圆，其技术路线图被搁置。无法获得备件和消耗品可能会导致国内存储厂商的生产能力下降。

国内DRAM厂商在执行其路线图方面也面临重大挑战。它正在生产符合 DDR4 和 LPDDR4 标准的 27nm 内存，而 1xnm 内存正在量产。要保持这种能力和爬坡速度将很困难。进展到 1ynm 和 1znm 可能是不可能的。

实际上，国内存储厂商的资本支出在 2022 年与美光科技公司的资本支出相当。

2021 年和 2022 年的 NAND 闪存和 DRAM 资本支出。

可以说，中国的芯片制造基础设施并不完整，尤其是在前沿，但值得注意的是，中国半导体设备公司的销售额在过去六七年中增长了近十倍。

中国晶圆厂设备供应商2016年至2022年的年收入。

Yole总结道：尽管中国存储器行业的未来仍不确定，但显而易见的是，存储器将继续成为中国半导体生态系统的战略重点，中国将尽一切可能保持其主力存储器公司的活力和运行。

不过，近年来，美国禁止半导体出口并通过CHIPS法案。自2023上半年， IC设计公司迫于压力以及自身将风险降至最低的需要，有将现有订单和新订单转移到中国台湾代工厂的趋势。台积电受此次更新立法的影响最大，主要是因为他们计划向中国和美国扩张。

TrendForce表示，内存扩产计划将集中在韩国和美国，中国在全球DRAM产能中的份额将同比下降。新的CHIPS法案主要适用于18nm以上的制程，相当于主要供应商的1Xnm。但主流DRAM制程已经升级到1Znm以上，客户也在供应商的鼓励下逐步转型；只有一小部分消费类 DRAM 产品继续保持在 1Xnm 以下。但是，消费类 DRAM 产品仅占总容量的 8%。

SK海力士是唯一一家在中国无锡建有晶圆厂的主要供应商，但供过于求和地缘政治等因素导致无锡晶圆厂的DRAM产量从48%下降到44%，新晶圆厂将位于韩国。同时，三星和美光在中国没有DRAM产能，未来的扩张计划将分别集中在韩国和美国。

TrendForce预计，根据这三大供应商的计划，韩国在全球DRAM产能中的份额将继续上升；而中国将同比下降，到2025年将从14%降至12%。

在NAND Flash的供应方面，美国表示限制扩产主要针对128层以下的制程。三星西安厂继续专注于128层工艺，约占全球NAND Flash产能的17%；被SK海力士收购的英特尔大连工厂占全球NAND Flash产能的9%。但是，三星和SK海力士不太可能扩大他们的旧生产线，因为128层产品显然无法与更先进的产品竞争。涉及升级工艺技术和提高中国制造业务产能的计划将受到严重限制。总而言之，到 2025 年中国在全球 NAND Flash 产能中的份额预计将从 31% 下降到 18%。

存储芯片作为半导体元器件中不可或缺的组成部分，有着非常广泛的应用，在内存、消费电子、智能终端等领域均有运用。随着大数据、云计算、物联网等发展，其在整个产业链中扮演的角色将更加重要。现在，中国的芯片企业会逐渐走出去，参与全球竞争，也让国际市场意识到中国技术的实力与潜力。

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