今日热点

1. 智能手机入衰期，高通、联发科Q4或开打价格战

2. 全年减至2.6亿部！三星下调10、11月手机产量

3. 出货放缓+需求疲弱，货柜海运价格一路下跌

4. 新厂助攻！华邦电DRAM/NOR Flash明年制程再推进

5. 中国大陆首发！江波龙512Mb SPI NAND Flash量产

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智能手机入衰期，高通、联发科Q4或开打价格战

据台媒《工商时报》报道，三星不仅没有在第四季增加手机零组件的拉货，更将10、11月智能手机合计出货量目标下调至3400万支，比第二季更低迷，显示出今年智能手机确定没有旺季，且法人圈直言，终端客户OPPO、vivo、小米等业者与IC供应商，即高通、联发科之间的平衡将在供应链中被打乱并重新调整，「价格竞争可能自第四季开始」，若真如此，将对智能手机芯片组制造商造成另一股压力。

全球智能手机需求仍旧低迷，三星释出Android确定旺季不旺的消息，由于三星一大部分产品均采用高通处理器，故高通智能手机芯片组需求也将呈现下滑态势，据悉，此将导致台积电下半年订单减少约15％。由于高通业务占台积电营收比重预估约为10~20％低缘，前述砍单意味着台积电营收约将下滑1~2％。

相较之下，联发科已于日前法说会表示Android智能手机前景疲弱，尽管如此，担忧联发科芯片组出货量可能会因三星较为疲软之展望而进一步下滑，尤其是联发科所供货的三星5G低阶机种，包括Galaxy A和M系列。预估联发科业务占台积电营收约10％，而需求进一步疲软对联发科芯片组需求之冲击将低于3％，此对台积电晶圆需求之负面冲击将低于0.3％。

02

全年减至2.6亿部！三星下调10、11月手机产量

据韩媒BussinessKorea报道，三星已经下修10、11月智能手机合计产量至3400万部，这个数字不仅明显低于2021年同期，甚至比上一季出货量还要更差，可见2022年全球Android阵营旺季不旺已是定局。

也因为三星持续向下修正第四季手机产量与零组件订单量，韩媒预估，三星2022年全年智能手机出货量可能只有2.6亿部，比年中下修后的预估量3亿部又再降低13.3％，也低于2021年出货量约2.7亿部，仅勉强高于2020年。

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出货放缓+需求疲弱，货柜海运价格一路下跌

据台媒《经济日报》消息，大陆延长限电、出货放缓，加上北美需求并未明显放大，导致货柜海运价格向下的隐忧升高；业者说，年初迄今运价跌幅逾三成，9月运价是否反弹，将成货柜荣枯转折点，并牵动第4季欧洲合约价谈判走势，但情况不容乐观。

货柜海运价上周写下连十跌，且跌幅有扩大趋势，亚洲到美西线正式跌破每FEU（40英尺柜）5000美元大关，单周跌幅逾6%，美东则跌破9000美元。根据上海航交所运价指数（SCFI）自今年初的5109点历史高点以来，到最新一周的3429点，现货运价已跌掉逾三成，甚至已经回到去年的起涨点。

今年3-5月，货柜海运现货价格跌势明显，主因是俄乌战争影响，加上遭遇中国大陆清零、限电、封控等因素，导致货柜需求下滑，现货运价也随之跌跌不休。

运价在6月短暂整理后，7月起，因美国通胀问题愈趋严重，美国消费力下降，联准会强势升息，运价再一次遭遇强劲逆风，运价又陷入跌势。

随着时间进入9月，专家表示，暑假过后北美可能有一波学生返校潮，有望带动相关民生消费需求升温，因此，近期美国零售市场拉货潮将是观察指标，若预期再度落空，对运价而言恐不妙。

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新厂助攻！华邦电DRAM/NOR Flash明年制程再推进

据台媒《MoneyDJ》报道，存储大厂华邦电随着高雄厂已陆续开始投片、试产，在新厂加持下，有助于华邦电在DRAM/NOR Flash产品制程再推进，除了D25S将转到高雄厂量产之外，2023年D20纳米，NOR Flash 45纳米也会陆续释出，提高产品竞争力。

华邦电高雄新厂已开始试产，第一阶段的10K月产能本预估年底要达到10K，但因设备机台装机越延迟1-2个月，预估明年2月达到月产能10K，但高雄厂投资不会有所变化，第一阶段仍会以扩充到2万片为最有成本效益甜蜜点产能，预估将会在2025年初可达成。

至于在高雄厂的产品规划部分，首先投入的是已在台中厂量产的D25S纳米，该产品介于25纳米和20纳米，良率非常不错，该制程主要生产DDR3产品，预估明年再高雄厂可大量出货。

另外，华邦电也已在台中厂试产DRAM 20纳米产品，未来也会搬到高雄厂量产，明年中正式导入20纳米DRAM产品量产，预估2023年有营收。

而在Flash产品部分，华邦电也拟推进至45纳米产品，因Die小，产品更有竞争力，目前也已在台中厂试产，预估2023年释出。

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中国大陆首发！江波龙512Mb SPI NAND Flash量产

据江波龙官方消息，江波龙近期发布了中国大陆首款FORESEE 512Mb SPI NAND Flash。

FORESEE 512Mb SPI NAND Flash由江波龙完全自主研发，能够帮助客户降低整机系统成本，并提升终端的产品竞争力。目前，FORESEE 512Mb SPI NAND Flash已全面量产，在智能穿戴、物联网模块、安防监控、网络通讯等领域得到广泛应用。

FORESEE 512Mb SPI NAND Flash适合替代256Mb NOR Flash，其为客户带来一倍存储扩容的优势下，价格却低于256Mb NOR Flash，帮助客户降低成本。

除SPI NAND Flash标准的8mm*6mm封装之外，该款512Mb NAND Flash特别提供更小的6mm*5mm封装，比传统SPI NAND Flash的8mm*6mm缩小近37%，从而节省PCB板空间，帮助客户降低系统成本。产品外形尺寸和引脚定义可完全兼容256Mb NOR Flash，便于客户从NOR Flash升级到NAND Flash。