“雄关漫道真如铁,而今迈步从头越”
自华为被美国技术管控,切断其芯片代工生产之后,光刻机就成为国人心中的痛!
多少次和朋友聊天提起这个话题,就想问什么时候,国产EUV光刻机才能横空出世!那一句句的叹息之后,剩下只是无奈的等待。
那究竟什么时候国产EUV光刻机才会出现那?
目前,国内能够研发光刻机的企业有三家,中国电科、上海微电和长春光机所。
上海微电子、中国电科在发展DUV光刻机,上海微电子已经推出28纳米DUV光刻机,正在研发14纳米DUV光刻机技术。
长春光机所主攻克EUV光刻机,其是国家02专项的主要科研单位,长春光机所光学实力非常强,代表我国最高技术水平,如精密光栅制造水平,光学设计能力,光学镜片或镜头的加工和制备,半导体激光器研发,图像处理,卫星发射等等。
目前,国产光刻机研发处于怎么的状态?
首先,我们先了解下光刻机的核心组成,光刻机,由光源系统、物镜系统、EDA工程、双工件台系统四大核心部件组成。
一、双工件台系统
华卓精科用4年的时间,攻克双工件台系统,目前,双工件台系统已经在28nm光刻机上使用,在为7nm光刻机研发积累经验。
二、光源系统
光源系统,中科院高能物理研究所已经攻克中国首台高能同步辐射光源,已经处于测试阶段 。
三、EDA工程软件系统
EDA被称为“半导体皇冠上的明珠”,在整个半导体产业链中起着举足轻重的用。目前国内EDA主要由国际三大巨头垄断。
但是近年国内华大九天、芯愿景、芯和半导体、概论电子等领先本土厂商,已在EDA软件上突破技术壁垒,需要设计数据的积累。将在EUV光刻机的研发中起到积极作用。
四、物镜系统
物镜系统是EUV光刻机的核心系统,因规格有限性的硅基芯片与摩尔定律规定下的性能提升、硅晶体数量提升之间的矛盾,对光刻机设备制程要求更高,物镜成为决定光刻机制程精度的决定性的因素,其重要性不用多说。
光刻机的物镜系统是非常复杂的,从反射、折射到全反射一层一层,将优化光的分辨率,最终达到可清晰投影的光斑。
随着纳米数在提高,光刻机的分辨能力更高,需要看清的尺寸更小,若没有高技术的物镜,就无法曝光出清晰的电路图,进而会降低制程良率和芯片的性能。
2021年,长春光机所已经突破光刻机核心部件“光学投影物镜”制造关键技术,实现了中国超精密光学技术的跨越式发展。
预测长春光机所研发的“全折射式光学投影镜头”,最高可以用于7~5nm制程,轻松完成14~10nm制程没有问题。
物镜系统核心的攻克,至此光刻机的四大核心项目被基本攻坚,意味着我们距离拥有自己高精尖光刻机的那一天已经越来越近。
总之,看到核心技术已经攻克,朋友们你们觉得EUV光刻机离我们还很远吗?大家可以在评论区讨论。
文/文旅
页面更新:2024-04-25
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