三星超车台积电官宣量产3nm，会不会是一场翻身仗？

近两年来，三星和台积电两家代工厂一直在先进制程方面你争我赶，都想要比对手先一步首发量产最先进的制程。今年上半年的财报会议上，台积电曾宣布将在今年下半年量产3nm工艺，而已经在5nm上落后了对手的三星这次则弯道超车，抢先了台积电一步。

就在今天，三星电子正式宣布，该公司已经开始在其位于韩国的华城工厂大规模生产3纳米半导体芯片，是全球首家量产3纳米芯片的公司。

根据三星官方介绍，在3nm芯片上，其放弃了之前的FinFET架构，采用了新的GAA晶体管架构，大幅改善了芯片的功耗表现。

与5nm相比，新开发的3nm工艺能够降低45%的功耗，减少16%的面积，并同时提升23%的性能。

同时三星的第二代3纳米GAA制造工艺也正在研发中，这种第二代工艺将使芯片功耗降低达50%，性能提高30%，面积减少35%。

同时有爆料也表示目前三星3nm工艺也迎来了其第一批客户，爆料猜测三星自己和虚拟货币挖矿机芯片设计公司上海磐矽半导体将成为最初的客户之一。

不过除了这两家之外暂时还没有其他厂商想要用三星3nm的消息曝出，外界也对此做出了猜测，首先便是量产初期产能不够是肯定的，这时候即使有客户也不一定能保证产量。

其次就是三星之前工艺不太优秀的表现，曾经的大客户高通都转而选择了台积电，而根据爆料本次三星量产3nm高通也仅仅是对其保持观望态度，目前仅将其作为备选。

当然，三星3nm到底会是一次翻身战，还是表现依旧不佳，还要等待未来更多厂商的实际产品来考验。