最高3.5万片/月，台积电3nm工艺将于8月量产

据台湾《联合报》报道：台积电决定如期在2022年推动3nm芯片量产，量产地点位于台南和新竹两地。目前台积电初步规划新竹工厂每月产能约1万至2万片，台南工厂产能为1.5万片。

据悉，台积电3nm会有多个版本，至少包括N3、N3E、N3B。历经多次波折，台积电已经改变策略率先在8月量产第二版的N3B工艺，而2023年或将增强版的N3E工艺量产。

N3E工艺将使用更少的EUV光刻层，从25层缩减到21层，投产难度更低，良率也能更高，成本自然得以下降，但是晶体管密度会比N3版本低大约8％，相比N5仍然会高60％。

竞争对手方面，三星在4nm工艺上受挫或丢失高通骁龙8系列之后的订单。在3nm工艺方面，目前消息还停留在年初，三星代工市场战略团队负责人Moonsoo Kang对外表示：2022上半年三星第一代的3nm GAA （3GAAE）制程技术将量产，最迟不会超过二季度，而下半年将开始商业化生产。

据悉，GAA晶体管能够提供比FinFET 技术更好的静电特性，能够让芯片进一步微缩，也就是晶体管密度更大，另外还能降低栅极电压，让功耗降低。而台积电的3nm工艺将继续采用FinFET 技术。

按照三星的说法，3nm GAA芯片，较上一代5nm FinFET技术，面积能够缩小35%，性能提高30%，或功耗提高50%。

无论怎样，纸面数据没有说服力，还是让采用3nm工艺产品的测试成绩来评判台积电/三星的优劣吧。