今天的主题——氮化镓。
就在上周五,最高法正式发出裁定书,维持对英飞凌的销售禁令,意味着从此刻起英飞凌这家德国公司的氮化镓产品被禁止在中国境内销售。
根据发展历程,半导体材料可划分为三代,氮化镓是第三代的典型材料。
第一代就是传统的硅、锗等单元素半导体,产业链成熟、成本较低、技术完备,应用最广。
第二代是砷化镓、磷化铟这样的III-V族化合物半导体,电子迁移率高,比如砷化镓的电子迁移率约是硅的6倍,但材料资源稀缺、价格昂贵。
第三代是碳化硅、氮化镓这样的宽禁带半导体,禁带宽度是硅的3倍以上,电子不容易跃迁,耐高压、耐高温,性能全面碾压前两代,但成本高、制备难。
三代半导体材料之间不是技术替代关系,都有各自的优劣势,在各自的优势领域发挥作用,彼此相互补充,长期共存。
氮化镓是第三代半导体的核心代表,主要用于手机、笔记本的快充充电器,体积减半、充电速度提升3倍。
目前的氮化镓市场由美日企业占据主导地位,2020年的数据,日本的住友集团、美国的Wolfspeed、Qorvo三巨头占据超过80%的市场份额。
但国内企业在近几年正在快速发展。

英诺赛科(港股上市),设计+外延+制造+封测全产业链覆盖,全球首家实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产的企业,在氮化镓功率器件细分领域全球市占率第一,进入英伟达800V HVDC供应商联盟。
三安光电,同样全产业链覆盖,拥有国内首条6英寸氮化镓生产线,国内LED芯片领军企业,华为氮化镓功率器件代工商。
华润微,拥有8英寸硅基氮化镓生产线,国内首个600V/10A氮化镓器件产品。
士兰微,拥有6英寸硅基GaN功率器件生产线。
中国氮化镓行业竞争格局正处于快速变化期,2023-2025年间,英诺赛科已从追赶者逆袭成为全球第一,传统巨头面临格局重构,预计未来中国企业的行业地位将持续提升。
更新时间:2026-06-16
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