
来源:视觉中国
撰文丨何己派 编辑丨谭璐
又一国产存储芯片巨头,冲击上市。
8月21日,长江存储科创板IPO申请获受理,离上市再进一步。若顺利,它将与国产存储“双子星”之一的长鑫科技,会师A股。
65岁的掌门人陈南翔,终于等来这个历史性时刻。
从武汉走出的长江存储,是国内唯一一家3D NAND原厂,在国际巨头长期把持的江湖中,闯出一条路。

根据TrendForce数据,2026年1-3月,其在全球NAND Flash厂商中,按销售金额和出货量排名,均位列全球第三、中国第一。
同期,长江存储净赚334亿元,平均到每个工作日,净利超5亿元。
陈南翔带领的队伍,不满足于财务数字,他们在新战线HBF(高带宽闪存)正酝酿更猛的牌,有机会撼动全球的产业格局。
光速推进
长江存储的IPO,卡着点推进。
算算时间,5月启动IPO辅导备案,8月完成验收,刚好3个月,满足监管要求的最短时限。
本次IPO拟募资330亿元,其中208亿元投向量产线技术升级,122亿元投向研发。

长江存储的IPO,筹备了7年,早在2019年首轮融资后,就开始铺路。漫漫上市征途,背后的核心推手之一,是陈南翔。
2021年紫光集团破产重整,长江存储进行股权剥离。在紫光集团担任联席总裁的陈南翔,临危受命,出任长江存储董事长、总裁。
他还有两重身份:中国半导体行业协会理事长、半导体投资联盟理事长,手握行业话语权。

陈南翔
长江存储主攻3D NAND闪存,一种非易失性存储器,断电仍能保留数据。手机、电脑、服务器等,会大量用到它,相当于“数据仓库”。
存储行业有很强的周期性,这几年,陈南翔团队打了场艰难的翻身仗。
2023年,全球存储行业处于下行周期,公司净亏损192亿元,NAND闪存的毛利率大跌,只有1%。

直到2025年四季度,AI引爆存储需求,拉动主流的3D NAND供需紧张、价格上行。
赶上好势头,长江存储在今年1-3月开始爆发,NAND闪存收入同比大增约4倍,毛利率迅速升到79%。
截至3月底,其累计亏损大幅收窄,只有34亿元。

“杀疯了”的长江存储,能否复刻长鑫的上市暴涨神话?
在胡润2025全球独角兽榜上,长江存储以1600亿元估值,位列中国十大独角兽第9、全球第21。
市场对它的期待,不会低。
一张底牌
5月底,陈南翔现身一场论坛,高度评价华为“韬定律”,强调中国半导体人要扛起大旗。
他提到,2030年的全球集成电路产业规模,会超过1.5万亿美元。
“届时,中国集成电路产业能做到多大规模?在全球市场中占据怎样的比重?”陈南翔呼吁,中国半导体人要对集成电路设计建立新认知。

全球NAND闪存市场,海外大厂提早出发几十年,用专利、资金和工艺代差,筑起技术、市场的双重铜墙铁壁。
要打破这道壁垒,长江存储依仗的是一张王牌——晶栈Xtacking架构。
这个架构推出前,市面上的3D NAND主要是两种方案:传统并列式架构和CuA(CMOS under Array)架构。
长江存储团队另辟蹊径,将晶圆键合这一技术用在3D NAND上。

这相当于,在指甲盖大小的面积上,实现数十亿根金属通道的连接,两片晶圆各自完工后,用键合这一个步骤,合二为一。
按传统的做法,一张晶圆设计完毕,切割、封装之后就完事了。
“键合则需要将两片完整的晶圆合在一起,最大的问题是,晶圆是分开制造的,需要高精度对准、完全一致,稍有差池,键合整个废掉。”一位研究晶圆键合技术的芯片公司创始人向《21CBR》记者解释。

工艺要求高,好处很明显。
传统3D NAND架构中,外围电路约占芯片面积20%-30%,晶栈架构具备更高存储密度,芯片面积减少约25%;且设计制造是并行的、模块化的,产品开发周期可缩短3个月,生产周期缩短20%。
目前,陈南翔和同事,已将晶栈架构迭代到4.0,构建了技术壁垒,甚至全球存储老大三星,也得主动掏钱购买其专利。

来源:新华社
2025年,三星签下一份专利许可协议,付费使用长江存储的混合键合技术,消息震动业界。原因很简单,三星发现,NAND闪存往420层以上走,绕不开长江存储。
这等场面,陈南翔或许早已预见。
两年前他就判断,“先进封装的重要性可能要超过晶圆制造”。
新的跑道
在NAND闪存的江湖,陈南翔和长江存储,已坐上全球第三把交椅。
它的前面,是三星、SK海力士,后方有铠侠、美光在紧追,市场竞争残酷。
Counterpoint分析称,长江存储的产品组合,仍集中于消费级应用,高单价数据中心企业级SSD占比,相对较低。

陈南翔团队,需要打两场高端局。
首先是产品结构方面,进一步向企业级SSD倾斜,补齐短板。
3月,长江存储一口气推出三款PCIe 5.0企业级SSD新品,PE501、PE511、PE522,统一采用晶栈4.0架构,专为AI服务器量身打造,最高容量达122.88TB。
有消息称,这三款产品已批量进入阿里云、腾讯云供应链。

其次,加码新的存储路线HBF(高带宽闪存)。
简单来说,HBF用HBM(高带宽内存)的思路改造NAND,把带宽拉高到接近HBM,且便宜、容量大,直击AI的“内存墙”。
2025年底,一篇名为《3D NAND闪存技术的演进趋势与挑战》的论文发表。
第一作者霍宗亮,是长江存储首席科学家,主导公司第1-5代3D闪存芯片的研发和量产;两位共同通讯作者,分别是长江存储创新研究院副总经理夏志良,以及陈南翔。

这篇论文判断,HBF会成为未来大模型存储主流载体,并指出长江存储的晶栈架构将加速HBF与高算力芯片3D高速互连架构的开发进程。
SK海力士、三星等存储巨头,均在积极布局HBF。这一仗,可能关系到长江存储能否弯道超车。
有消息称,阿里云与长江存储达成232层NAND年度采购意向,占其国内NAND采购量约15%。字节跳动也推进与长江存储的试点采购,首批订单预计今年三季度落地。
一场大规模的产能豪赌,已经铺开。

长江存储核心厂区
当前,长江存储在武汉运营两座晶圆厂,合计月产能约20万片。今年1-3月,公司产能利用率已达98%。
三期工厂设备安装已启动,预计2026年底投产,2027年实现月产能5万片。未来,陈南翔团队计划再建两座新厂,全部达产后,总产能将翻一番。
宏大的图景已展开,长江存储能拓展多大版图,取决于陈南翔团队手里的技术筹码能增加多少。
图片来源:长江存储,除标注外
更新时间:2026-08-24
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