SK海力士全面启动High‑NA EUV研发，引入相移掩模新材料

每经编辑：肖芮冬

截至13:06，市场震荡活跃，同指数费率最低标的——科创芯片ETF（588290）下跌0.34%。成分股方面，联芸科技上涨11.37%，思瑞浦上涨6.63%，纳芯微上涨5.65%。

消息面上，SK海力士正致力于推进其极紫外光刻（EUV）技术，以实现下一代DRAM的量产。公司于去年首次推出高数值孔径（High-NA）EUV设备，并于今年全面启动相关技术的研发。据悉，该公司已全面开始引入相移掩模（PSM）等新型材料，以提升EUV光刻性能。

相关研究机构表示，海外半导体设备企业受核心零部件短缺、产能饱和约束，主流前道、存储配套设备交付周期拉长至12~24个月，同时开启涨价，三星、SK海力士、美光等龙头扩产计划受制于设备供给瓶颈，迫切寻求多元化设备供应商以保障产能落地。（风险提示：以上信息仅供参考，不构成投资建议。入市有风险，投资需谨慎。）

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