“以赛引才 以才兴产”：艾恩半导体发布国产批靶大束流离子注入机Ai-200HC.D

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齐鲁网·闪电新闻11月6日讯 11月3日，中国（济南）新动能创新创业大赛平行活动——“以赛引才 以才兴产”济南高新区推动民营经济向新向优向好发展新闻发布会举办。会上，四家大赛落地项目代表企业集中展示了项目从“参赛获奖”到“落地生金”的转化成效。作为代表企业之一，济南市艾恩半导体科技有限公司财务负责人兼董事会秘书田凤娇出席发布会，并正式发布公司全新自研的批靶大束流离子注入机Ai-200HC.D。

以赛促创：从大赛二等奖到主力机型落地

据介绍，艾恩半导体于2024年参加第七届海右人才双创大赛，参赛项目为“碳化硅中束流离子注入机产品研发与产业化”，并获得大赛二等奖。公司坐落于济南高新区，专注于芯片制造核心设备——离子注入机的研发、设计、生产、销售与服务，已形成覆盖中束流、大束流、高能、特种等全谱系的离子注入装备矩阵，构建起从特色工艺技术到硬件设计的全自研正向研发体系，产品可广泛应用于逻辑芯片、功率半导体、MEMS传感器、汽车电子、化合物半导体等多元场景。

瞄准产线痛点：批靶架构破解“扩产贵”

离子注入是半导体制造中掺杂环节的核心工艺，大束流离子注入设备长期深刻影响着功率器件、SOI衬底、存储器、宽禁带半导体等赛道的国产化进程。艾恩半导体此次发布的Ai-200HC.D，正是一款立足国内产线真实需求打磨而成的国产化主力机型。

该设备面向6至8英寸晶圆，采用批靶式大束流技术路线，精准瞄准高注入剂量、中等深度掺杂、高生产效率的工艺场景。当前，国内大量功率半导体、Smart-Cut SOI衬底、先进CMOS、存储芯片等产线，对稳定、高产能、高性价比的大束流注入装备需求迫切，这也是该产品的研发出发点。

在结构设计上，Ai-200HC.D采用成熟可靠的批靶disk靶台架构，突出优势在于产能。设备支持6英寸晶圆一次同步注入17片，可实现大批量晶圆并行加工，从底层架构上满足产线量产节拍要求。对企业而言，更高的单片处理数量意味着单位时间产出大幅提升，在保障工艺品质的同时有效摊薄单片加工成本，帮助产线兼顾大产能规模与更低的设备投入，切实缓解部分工艺产线“扩产贵、设备成本压力大”的痛点。

性能表现：宽能量窗口与高一致性并重

在核心工艺指标上，该设备呈现出均衡扎实的性能。其能量调节跨度大，控制精度高，波动误差不到千分之五，工艺窗口宽，可适配多元掺杂需求；支持氢、氦、硼、碳、氮、磷、氩、砷等多种离子注入，覆盖硅基加工及新型半导体衬底的主流掺杂元素，无论少量掺杂还是高浓度掺杂均可实现。同时，设备注入均匀性表现优异，单片晶圆注入效果均匀，批次间一致性波动不超过1%，可满足产线量产的严格要求。

贴近本土需求：深度适配国内工艺习惯

不同于海外设备偏向标准化的通用方案，艾恩半导体在研发阶段深度走访国内数十家特色工艺、功率器件、SOI衬底工厂，充分结合国内产线的工艺习惯、维护能力与降本诉求进行优化。该机型既可应用于传统硅基功率芯片制造，也是Smart-Cut剥离工艺、宽禁带半导体掺杂环节的关键装备。

“半导体装备国产化并不是简单的‘替代’，而是要为客户创造实实在在的价值。”田凤娇表示，Ai-200HC.D承载着企业扎根离子注入赛道、持续突破核心装备的决心。后续公司将持续做好工艺适配、现场运维、迭代升级的全周期服务，配合客户完成工艺测试，推动产品顺利上机量产，让国产离子注入机进入更多芯片制造场景。

稳健经营：为长期研发与产业化提供支撑

从财务与资本角度看，半导体装备研发周期长、投入大。田凤娇在发布会上表示，公司长期坚持稳健的财务策略与规范的治理结构，确保研发投入与产业化节奏同步推进。未来，艾恩半导体期待该设备走进更多国内半导体工厂，助力特色工艺、功率器件、宽禁带半导体产业链自主可控，并持续推动技术迭代与成长。

闪电新闻记者 段嘉琪 淳于龙 报道