超越EUV光刻机技术，新的进展来了，这回中国能不能称王？

目前ASML的EUV光刻机，已经发展到了第二代，也就是NA=0.55的光刻机，也称之为High NA EUV。

第一代是NA=0.33的EUV光刻机，而第三代，则是NA=0.77的光刻机，称之为Hyper NA EUV。不过这个第三代，还有没有，能不能推出，谁也没有底。

NA指的是数值孔径，NA越大，那么通过光聚焦的角度越大，光斑越小，分辨率越高，自然光刻机性能就越强，制造的芯片越先进。

但提升NA是非常困难的，因为需要更为复杂的光学元件，研究成本可能是以数十亿美元来计算的，还不一定成功。

所以科学家们，一直在研究另外一种途径，那就是采用更短的波长光线，比如目前的EUV光刻系统，采用的是13.5nm波长的光线。

如果采用比13.5nm波长的光线更短的波长，那么不需要修改数值孔径，也能制造更先进的芯片，这就不成了么？

所以“Beyond-EUV”就成为了不少厂商研究的方向，目前科学家们看好的是采用 6.5nm ~ 6.7nm 波长的激光（也称为Soft X ray）。

因为这种激光，与13.5nm波长的光线一样，也是具备高反射率，所以这种光线也是能够被收集，然后用来制造更先进的EUV光刻机的。

并且目前，有许多研究人员已经尝试了多种产生 6.7 nm 波长辐射的方法（例如，钆激光产生的等离子体），虽然还不是太稳定，但已经证明了其可行性。

另外还有一个难点就是， 6.5nm 至 6.7nm 波长的光，几乎会被所有物质吸收而不是反射，所以光刻胶之类的这种感光材料，也要重新研究，现有的EUV光刻胶没用。

但科学家们认为，采用这种6.5nm 至 6.7nm 波长的光来制造更先进的光刻机，可能远比在现有的基础上提升数值孔径更靠谱。

再加上用这种光线来制造光刻机，其可以在低数值孔径的情况下，也能实现较高的分辨率，接下来就可以从现有的EUV一样，再提升数值孔径，就能够推动其再进步。

而EUV光刻机的诞生，让ASML称王，那接下来的“Beyond-EUV”一旦诞生，会让谁称王呢？会不会是中国的企业，以前我们没有很强的实力，在EUV研发上落后了，但这次可能不会了，所以就让我们拭目以待吧