金融界2024年4月17日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“集成电路以及用于形成集成电路的系统和方法“,授权公告号CN113690216B,申请日期为2017年11月。
专利摘要显示,集成电路结构包括栅极结构组、第一导电结构、第一组通孔和第二组通孔,以及第一组导电结构。该栅极结构组位于第一层级处。第一导电结构在第一方向上延伸,与该栅极结构组重叠并且位于第二层级处。第一组通孔位于栅极结构组和第一导电结构之间。第一组通孔将该栅极结构组连接至第一导电结构。第一组导电结构在第二方向上延伸,与第一导电结构重叠并且位于第三层级处。第二组通孔将第一组导电结构连接至第一导电结构,并且位于第一组导电结构和第一导电结构之间。
本文源自金融界
页面更新:2024-04-18
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