台积电申请集成芯片及其形成方法专利，实现针对包括位于半导体衬底上面的加热器结构的集成芯片

金融界2024年2月9日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“集成芯片及其形成方法“，公开号CN117542806A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，本公开实施例针对包括位于半导体衬底上面的加热器结构的集成芯片。相变元件(PCE)设置在加热器结构上方。热阻挡结构设置在加热器结构和PCE之间。PCE的外侧壁在热阻挡结构的外侧壁之间横向间隔开。本申请的实施例还涉及形成集成芯片的方法。

本文源自金融界