《日经新闻》：中芯国际克服美国制裁，积极推进3纳米芯片研发

根据日本《日经新闻》报道，中国知名芯片制造商中芯国际，正致力于研发3纳米芯片工艺。尽管面临美国的制裁，导致关键硬件设备采购困难重重，这家企业依然坚韧不拔地开展研发工作。尽管被美国禁止获取先进的芯片制造设备，但中芯国际却并未放弃，仍然积极推进3纳米芯片工艺的研发。这家企业用实际行动展示了其不屈不挠的精神和追求卓越的决心。

据报道，中芯国际已经成功研发出第二代7纳米芯片工艺，这一突破性技术将为智能手机处理器带来更强大的性能。不仅如此，中芯国际还在积极探索5纳米和3纳米级工艺的研发，展现出其在半导体领域的领先实力。

这项研究由中芯国际的研发团队牵头，团队领军人物是公司高管梁梦松。他曾在台积电和三星任职，拥有丰富的半导体行业经验。梁梦松的领导能力和专业素养备受认可，他被公认为半导体行业中的杰出人才。

中芯国际目前是该行业第五大芯片制造商，由于无法获得先进的晶圆制造设备，严重限制了其实施新工艺的能力。由于美国制裁，中芯国际无法从荷兰的ASML获得极紫外（EUV）光刻工具。然而，对于其第二代7纳米芯片工艺，该公司完全依赖于深紫外 （DUV） 光刻技术。

美国的制裁未能完全阻止SMC在开发7nm工艺以外的先进芯片方面的进展，这可能拖慢了中芯国际的发展速度，但这并没有阻止它的发展。中芯国际的这一研发进展，不仅彰显了其技术实力，也为中国半导体产业的崛起注入了新的活力。