美再对我国芯片下手，宁愿自己损失，也不让中国存储芯片发展？

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文章导语：

近期有消息称，美国可能会采取措施，禁止向中国出口芯片生产设备，其中特别点名了中国的NAND存储芯片生产商，长江存储。这引发了人们对于存储芯片重要性的关注，以及为何美国不愿看到中国存储产业崛起的疑问。然而，实际上，美国的目标并不仅限于存储芯片，而是整个中国制造业。本文将从存储芯片的重要性、中国存储产业崛起、美国对中国制造业的制裁等方面展开探讨。

存储芯片的重要性：

存储芯片虽然在技术层面相对基础，但其在信息产业中的作用非常重要，甚至比高端的SOC芯片还要关键。存储芯片应用广泛，从数码存储到数据中心、5G基站、人工智能等领域，都离不开它的支持。就连高端的SOC芯片也需要基础内存，这就需要存储芯片的支持。因此，存储芯片在信息产业中扮演着根基性的角色。

然而，尽管存储芯片如此重要，中国长期以来却一直依赖进口，其话语权主要掌握在美国、日本和韩国等少数外资企业手中，如三星、SK海力士、美光、西部数据和东芝等。因此，中国一直致力于突破技术封锁，尤其是在存储芯片领域，中国的长江存储等企业正在快速崛起。

中国存储芯片的快速崛起：

中国存储芯片的崛起并非一朝一夕之功，它始于2006年，当时湖北省和武汉市共同出资组建了武汉新芯，专门制造存储芯片。虽然初期面临经济危机等挑战，但他们没有放弃，坚持发展。

在2014年，中国成立了国家芯片大基金，支持中国集成电路的发展。在这一背景下，武汉新芯与紫光集团等国企成立了长江存储，并联合中科院微电子研究所、清华、复旦等中科研院校机构，共同研发NAND flash芯片的相关技术。这标志着中国存储芯片的大规模布局。

存储芯片分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片，前者以DRAM芯片为代表，后者以NAND闪存芯片为主。长江存储瞄准NAND闪存芯片，并在短时间内取得了突破性进展。2017年，中科院微电子研究所宣布在32层3D NAND flash上取得突破性进展，使中国国产闪存芯片走上了快速发展的道路。在2018年，长江存储实现了32层NAND芯片的量产，随后又突破了64层和128层NAND芯片技术，填补了国产空白。现在，长江存储在技术上已不输给其他国家，并逐年扩大市场份额。

中国存储芯片的市场份额从2020年的1%左右增长到了2021年的3.4%，预计2022年将达到7%，这还是在产能有限的情况下。中国存储芯片的崛起已成为中国芯片突围的成功典范。

美国对中国存储芯片的制裁：

美国在今年4月份盯上了中国存储芯片，指出长江存储供应华为可能违反美国禁令，并开始调查长江存储。然而，美国制裁的问题并未就此结束，2022年，中国的存储芯片产量整体实现了快速增长。中国还有其他企业如合肥长鑫和晋华集团专注于DRAM和普通存储芯片的研发和量产。因此，中国在2021年的闪存芯片产量占据全球23%的市场份额。

与此相反，美国本土NAND闪存芯片的生产数量逐年下降，从2019年的2.3%降至现在的1.6%。因此，美国计划打压中国存储芯片，特别是通过禁止出口芯片制造设备，对中国存储芯片产业产生影响的可能性。

然而，这种制裁不仅会影响中国，还会影响国外企业。尽管美国主要禁止向中国出口存储芯片的制造设备，但NAND闪存芯片制程要求并不高，市场上主流的3D NAND Flash的制程一般在20nm左右，包括中国的长江存储在内，都使用这个制程的芯片。因此，中国已建成的生产线可以继续使用，而28nm光刻机也可以生产出20nm芯片，尽管

中国制造业的强大潜力和稳步崛起已经引起了全球的瞩目。然而，正是由于这种潜力和崛起，让一些国家感到了威胁，尤其是美国。

美国的行动不仅仅是一场技术战，更是一场战略博弈。他们意识到，如果中国在中低端半导体领域取得成功，将意味着中国将进一步巩固其在全球制造业中的地位。因此，美国试图通过限制对中国出口芯片生产设备，以及其他一系列制裁措施，来遏制中国的发展。

然而，这种做法可能会适得其反。正如文章中所指出的，中国的中低端制造业市场非常庞大，它涵盖了从汽车到家电、大型客机到军工等各个领域。这些市场的规模巨大，是中国制造业的支柱。因此，制裁中低端半导体设备可能对全球供应链产生连锁反应，不仅会损害中国，也会损害其他国家的制造业。

此外，中国在中低端半导体领域的快速发展也反映出了全球半导体行业的竞争态势。中国的公司正在不断提高自身技术水平，推动创新，这将进一步推动全球半导体市场的发展。因此，美国应该意识到，封锁中国并不是解决问题的最佳途径，而是要与中国进行合作和竞争，以推动整个半导体行业的进步。

总之，中低端半导体领域的竞争正在激烈进行，中国的崛起是不可阻挡的趋势。美国应该重新审视其对中国的制裁政策，以确保不会伤及全球供应链和自身利益。只有通过合作和竞争，半导体行业才能迎来更大的发展机会，实现共赢局面。

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