我国科研团队在二维高性能浮栅晶体管存储器方面取得重要进展

在当今数字时代，大容量固态存储器件一直是科学家们追求的目标。然而，长期以来，传统的闪存器件在擦写速度和循环寿命等关键性能上存在瓶颈，难以满足高速数据处理的需求。但幸运的是，华中科技大学的一支杰出科研团队最近取得了一项重大突破，他们的研究或将改变这一现状。

这支团队由材料成形与模具技术全国重点实验室的教授翟天佑领导，他们专注于二维高性能浮栅晶体管存储器的研究。与商业闪存器件相比，他们成功研制出了一种具有边缘接触特征的全新二维浮栅晶体管器件。这项创新的技术不仅显著提高了擦写速度，还大幅增加了器件的循环寿命，为高性能、高密度大容量存储器件的发展提供了全新的思路。

为了克服这一挑战，翟天佑教授及其团队创造性地研制了一种全新的二维浮栅晶体管器件。他们通过对传统金属-半导体接触区域内二硫化钼进行相转变，将其由半导体相转变为金属相。这一创新的方法使器件内的金属-半导体接触类型从传统的3D/2D面接触过渡为具有原子级锐利界面的2D/2D型边缘接触。结果，他们成功实现了擦写速度在10纳秒至100纳秒之间，同时将循环耐久性提升至超过300万次，创造了高性能存储器件的新纪录。

这一重大研究成果以《基于相变边缘接触的高速、耐久二维浮栅存储器》为题，近日在线发表在国际学术期刊《自然·通讯》上，引发了广泛的关注。科研团队的突破性工作为未来存储技术的发展开辟了新的道路，有望推动存储器件领域迈向一个全新的里程碑。这一创新或将不仅改变我们的数据存储方式，还将为日益增长的计算需求提供更加强大的支持。