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一、前言

  这两个集成芯片实际上是两款功率 MOS 管。为了今后使用方便，下面对它们进行初步测试。SOP6 封装的是 4606，其中集成了一个 N沟道 和一个 P 沟道的MOSFET。TSSOP8 封装的是 8205A，其中封装了两个N 沟道的 MOSFET。

二、制作转接板

  设计一个转接电路板，将标贴封装芯片引脚引出，这样便于在面包板上进行测试。利用热转印方法，一分钟之后得到转接板。切割转接板，形成几个独立的芯片转接小板。下面焊接芯片和插针，进行后面的测试。

ADProject2023ChipCarrier.PcbDoc

三、测试波形

  把待测 MOS 芯片焊接在转接板上，利用100mil 排针，可以在面包板上进行测试。首先测试 4606。将N沟道和P沟道MOS 组成推挽电路，在两个栅极输入一个1kHz，幅度为 5V 的方波，测量漏极信号。可以看到输出反向方波信号。蓝色是输入信号，青色是输出信号 。这是输入信号上升过渡过程。输出信号与输入信号之间几乎没有延迟。下降沿对应的情况也类似。

图1.3.1 测试电路

  这是前面测试电路的原理图，两个MOS管构成了推挽功率输出。

  下面测试 8205A。其中集成了两个 N 沟道的MOS管。在面包板上搭建测试电路。输入仍然是1kHz 的方波信号。这是 MOS 管的栅极和漏极波形。它们之间呈现反向关系。施加三角波信号，可以看到 MOS 管导通电压在 0.7V 左右。这几乎和普通的 三极管的驱动电压相同了。

※总  结 ※

  本文对于两款MOS 芯片进行了测试，这两款MOS管的驱动电压都非常低，适合用于低压功率电路中。

参考资料

[1]

8205A: https://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/1152898/KIA/8205A.html

[2]

4606: https://html.alldatasheet.com/html-pdf/1223173/VBSEMI/4606/248/1/4606.html