10月17日,三星电子内存业务负责人Lee Jung-Bae发表文章称,三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的运行芯片,希望明年初可以实现量产;该公司还正在开发行业内领先的11纳米级DRAM芯片。他还表示,对于DRAM,三星正在研发3D堆叠结构和新材料;对于NAND闪存,正在通过增加堆叠层数、同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。三星计划于10月20日在硅谷举办“2023三星存储技术日”。
页面更新:2024-02-06
本站资料均由网友自行发布提供,仅用于学习交流。如有版权问题,请与我联系,QQ:4156828
© CopyRight 2008-2024 All Rights Reserved. Powered By bs178.com 闽ICP备11008920号-3
闽公网安备35020302034844号