美光推出其首个UFS 4.0移动存储解决方案：采用232层3D TLC NAND闪存

美光宣布，推出其首个UFS 4.0移动存储解决方案，目前正在向部分智能手机制造商和产品供应商发送样品。美光表示，最新的移动闪存在几个关键的NAND基准测试中领先于竞争对手，可以为智能手机提供业界最强性能，包括快速启动、应用程序启动和视频下载。

美光移动业务部副总裁兼总经理Mark Montierth表示：“美光最新的移动解决方案将我们一流的UFS 4.0技术、独有的低功耗控制器、232层NAND闪存和高度可配置的固件架构紧密结合在一起，提供了无与伦比的性能。这些技术将美光置于提供客户所需的性能和低功耗创新的最前沿，从而为旗舰智能手机提供卓越的用户体验。”

美光的UFS 4.0闪存提供了三种容量，分别为256GB、512GB和1TB，这是其首个基于232层3D TLC NAND闪存的移动解决方案，也是世界首个使用六平面NAND架构的UFS 4.0存储产品，提供了最高4300 MB/s的顺序读取速度和最高4000 MB/s的顺序写入速度。

美光表示，2023年下半年将开始批量生产UFS 4.0存储产品，为移动生态系统提供高性能移动闪存，以助力下一波5G和人工智能的创新与设备体验。