三星前高管被捕，案涉窃取三星半导体技术

6月12日，韩国国内传出一则涉及中国半导体产业的重磅消息——65岁的三星电子前高管由于涉嫌窃取三星半导体全部资料在中国建造“复制工厂”而被捕。

韩国产业技术犯罪调查部部长朴镇成正在发表半导体工厂设计资料海外泄露事件的中间调查结果

当日，韩国水原地方检察厅宣布，以违反《产业技术保护法》和《不正当竞争防止法》的罪名逮捕和起诉一名韩国人。同时，以涉嫌违反《不正当竞争防止法》等罪名，起诉了该名人士在中国设立的公司所属五名职员和涉嫌泄露设计图的三星电子合作公司一名职员。

据报道，被捕的该名人士曾任三星电子常务、SK海力士副社长等职务，是韩国半导体制造领域具有权威地位的人物。他在成都获得4600亿韩元（约合人民币25.43亿元）设厂，并录用了近200名三星电子、SK海力士的员工。在2018年8月起至2019年期间，他指示这些员工获取并利用三星电子半导体设计资料，包括工厂基本工程数据、工艺流程图、设计图等信息。涉案技术为用于制造30纳米以下动态随机存取存储器（DRAM）和闪存晶片（NAND）的制程工艺，属于韩国国家关键技术。

韩媒报道图片

韩国检方称：“这是盗取与制造半导体的系统、生产环境等生产效率有关的商业秘密和国家核心技术，动摇竞争日益激烈的半导体产业的根基，甚至可能对韩国经济安全产生巨大负面影响的重大犯罪行为。”

那么，被韩国政府认为会动摇半导体产业根基的国内公司到底是哪一家呢？我们先来看一则新闻。

涉案中国企业浮出水面，疑似成都高真科技

5月25日，国内DRAM领域迎来一则重磅消息，据金融界发布了一篇《“国产替代”进程加速！高真科技顺利完成19nm级8Gb LPDDR4产品开发》的文章：

相关业内人士透露，于2020年成立的成都高真科技有限公司（以下简称“高真科技”）已完成19nm级8Gb LPDDR4产品的开发，预计在不久的将来可实现量产，这意味着中国DRAM芯片厂商在存储领域的核心技术攻关再获突破，也表明国内存储芯片“国产替代”进程正在加速进行中。

高真科技19nm级8Gb LPDDR4产品开发周期仅为10个月，远低于行业平均周期2-3年，成功实现了中国DRAM存储芯片制造领域的记录突破，与长鑫存储成为国内唯二的两家有能力实现主流DRAM产品一体化制造的厂商。

金融界相关报道截图

在美光未通过网络安全审查的背景下，高真科技的这一消息无疑是DRAM领域国产替代的重大利好。

在“金融界”的这篇报道中，对高真科技及其创始人有着比较详细的介绍：

公开资料显示，高真科技是由真芯（北京）半导体有限责任公司与成都市政府合作设立的专注于DRAM存储芯片领域研发、生产和销售一体化的存储器制造商，公司实控人崔珍奭博士是目前韩国仅有的两名可以具备全半导体领域从研发到量产经验的半导体顶尖技术专家之一。崔珍奭博士曾在DRAM芯片领域全球三大巨头中的其中两家长期担任核心高管，其中，曾于三星电子任职常务董事、于SK海力士任职CTO及COO。

特别是关于创始人崔珍奭的介绍中，着重提到其曾于三星电子任职常务董事、于SK海力士任职CTO及COO。

第三位为崔珍奭

此外，这篇报道还指出：“凭借在全球半导体产业界享有的极高声誉和号召力，崔珍奭博士先后为高真科技引入200名拥有丰富行业经验的技术人才。”

看到这里，相信大家都能得出一个大胆的结论：

被韩国检方逮捕并起诉的韩国半导体制造领域具有权威地位的人物极大可能就是高真科技的的创始人崔珍奭。理由如下：

（一）崔珍奭是“目前韩国仅有的两名可以具备全半导体领域从研发到量产经验的半导体顶尖技术专家之一”，这与韩国媒体报道中“韩国半导体制造领域具有权威地位的人物”相匹配。同时，韩媒报道中的涉案人员的职务“曾任三星电子常务、SK海力士副社长”与高真科技介绍的崔珍奭博士的履历“三星电子任职常务董事、SK海力士任职CTO及COO”几乎一致。

（二）高真科技与案涉中国工厂信息高度吻合。一是韩报道中国工厂的地点在成都，和成都高真一致。二是录用“近200名三星电子、SK海力士的员工”的信息也与高真科技有关崔珍奭博士引进200名拥有丰富行业经验的技术人才的表述一致。三是成都高真是DRAM存储芯片领域研发、生产和销售一体化的存储器制造商，这与报道中的涉案技术“为用于制造30纳米以下动态随机存取存储器（DRAM）”也吻合。

是真侵权？还是配合美国对中国半导体产业打压？

韩国半导体产业人士对中国半导体产业的贡献是不言而喻的。

一是包括三星、SK海力士在内的韩国半导体巨头在中国大量的投资。三星电子和SK海力士在国内进行了天价投资，在中国建立本地生产基地。三星电子于2012、2017和2019年在西安工厂累计投资已达330亿美元，SK海力士的无锡DRAM工厂单次投资达253亿元人民币。其中，西安工厂是三星在华最大投资项目，主要制造3D NAND闪存芯片。截至目前，西安厂两期项目总投资已高达270亿美元。数据显示，三星西安工厂月产能将达到26.5万张12英寸晶圆，占三星全球NAND闪存芯片总产量的42%，占据超过10%全球NAND闪存芯片产能。2022年，三星半导体西安工厂产值将突破1000亿元人民币。

二是韩国技术人员的技术贡献。包括长江存储、长鑫存储、高真科技在内的国内知名存储芯片厂商，都离不开韩国团队的贡献。在突破美国封锁，实现核心技术的国产替代方面，这些国际力量发挥着重要的作用。

韩国政府此时选择对崔珍奭博士下手，可能有两方面的原因：

（一）高真科技的技术已经威胁到三星和海力士。用韩国官方的说法就是“动摇竞争日益激烈的半导体产业的根基”。中国人擅长通过引进、吸收、创新的技术开发模式，这在高铁上得到了强有力的认证。高真科技如此大规模的引进200号技术人员，很难不被韩国企业和政府盯上。

（二）韩国半导体产业形势不容乐观。在半导体领域，韩国一直处于全球领先地位，2021年三星和SK海力士半导体营收排名分别位列于全球第一和第三。但随着近年来下游市场的变化，作为韩国支柱性半导体产业的存储芯片景气程度正在逐渐下滑，韩国半导体产业正面临着生产链和国际复杂政治形势的双重困境。据报道，SK海力士逐年增长的净利润在2022年遭遇断崖式下降，暴跌75%，业绩可以说是非常惨淡。三星电子进入2023年后，由于存储芯片市场收缩的大趋势依旧势不可当，三星电子在2023年第一季度预计亏损4万亿韩元。

2018-2022年SK海力士业绩情况变化

在形势一落千丈的情况下，对卧榻之侧的竞争对手自然不能心慈手软。崔珍奭博士和高真科技此时难免成为泄愤的出口。

（三）在中韩关系出现波折的背景下，韩国此举既有警示韩国国内业界人士的考虑，也有配合美国限制中国芯片产业发展的嫌疑。