迎来破冰！中科院公布EUV光源工程样机，中国反制有底气了

随着中美之间科技竞争愈发激烈，美国想要将中国芯片锁死在14nm领域的想法也愈发强烈。可以说，美国为了限制中国半导体产业的发展已经开始不择手段了，因为中国半导体产业最近几年发展实在太快了。

梁孟松加入中芯国际之后，在短短三年的时间之内，就实现了14nm工艺的大规模量产，还完成了7nm工艺技术的研发，开始5nm工艺技术研发，并且在N+1和N+2工艺方面也取得了重大的进步。将中芯国际和台积电之间的技术差距从过去的三年拉近到了一年半。

在半导体设备、芯片设计、指令集架构还有芯片封装等多个领域，中国半导体产业也取得了重大的进步。最让美国恐慌的是，中国半导体产业显然是在全产业发展，这样一来，中国半导体企业就不需要依赖国际产业链，更不会受到美国的限制。

看着中国半导体产业的迅速发展，美国自然会担心中国半导体威胁到美国半导体产业的地位，因此便开始不择手段想要将中国芯片锁死在14nm上。

最近中科院传出好消息，由长春光机所牵头的EUV光源工程样机已经正式亮相，这不仅意味着中国再次在核心技术领域取得了重大的突破，更意味着中国对等反制的底气有了。

EUV光刻机的制造难度极大

越是先进的芯片对于光刻机的依赖和需求就越大，7nm及以下的芯片几乎都需要使用EUV光刻机。目前EUV光刻机仅仅只有荷兰的ASML一家企业能够生产，而ASML也只能实现10%的技术自主化，很多技术还需要依赖美国和其他一些国家，一些零件也需要依赖国际供应链。

之所以会出现这种情况，就是因为EUV光刻机的制造难度极大，制造该设备不仅需要使用到超过十万个零部件，而且还需要使用全球二十多个国家的顶尖技术。其中最难的光源技术需要通过高功率的二氧化碳激发器激发熔融态锡滴，发生非线性多光子吸收后，再通过自发辐射发出13.5nm光波。

除此之外，光刻机内还必须要抽成真空，因此EUV光刻机内无论是收光系统还是物镜系统，都需要采用镀有多层钼硅干涉型光学膜的放射性。

EUV光刻机的制造难度不在于某一领域，而在于全方位的难度都极大，也正是因为这个缘故，ASML才敢嚣张的表示：就算将光刻机的图纸给中国，中国也制造不出高端光刻机。

不过，中国自研的EUV光刻机正在不断取得技术突破，已经在多个领域获得了重大的成果，近期更是再次迎来破冰。由长春光机所牵头研发的EUV光源工程样机已经正式亮相了。

EUV光刻机实现突破

近期，中科院公布了一个重大消息，长春光机所在EUV光源样机上取得了重大突破。光源技术是EUV光刻机的重要组成部分，长春光机所本次研发出来的EUV光源样机将会为之后的量产机奠定坚实的基础。

根据业内人士公布的信息来看，EUV光源样机可以进行光学元件、真空系统以及电子控制等技术的测试，能够很有效的保障EUV光刻机的稳定性。

长春光机所本次能够取得这样的技术突破，离不开中科院对于光刻机的重视。早在上世纪九十年代的时候，该技术就已经开始研发，在2022年的时候，研究团队就制造出了首套EUV光刻机的原理装置。

美国想要联合日本、荷兰一直限制中国获得半导体设备，以此来将中国锁死在14nm的工艺上，却没想到，美国的限制反而激发了中国自主研发的决心。

除了长春光机所本次取得EUV光源样机的技术突破之外，作为中国国内顶尖的半导体设备厂商上海微电子在最近几年也取得了许多令人瞩目的成绩。不仅实现了90nm光刻机的量产，并且还成功研发出28nm光刻机的相关技术。

在封装光刻机还有蚀刻机等其他半导体设备领域也进步迅速，能够实现5nm蚀刻机的制造和2.5D乃至是3D封装光刻机的量产。

对等反制起效果了

美国对中国半导体的打压，不仅没有取得预想当中将中国半导体锁死在14nm的目标，反而迎来了中国方面的对等反制，这让美国十分难受。

今年3月的时候，美国明茨集团驻北京办事处的几名员工被相关部门以“危害国家安全”为由带走，最近相关部门又宣布要展开对美光的全面安全调查。虽然每一次反制都是有足够证据的，并非像美国那样莫须有的罪名，但是中国的对等反制还是让美国十分难受。

作为本次被反制的主角，美光更是营收和市值暴跌，已经开始大规模裁员了。

写在最后：中国一贯不屑像美国那样使用不光彩的手段，但是这并不意味着中国没有对等反制的手段，毕竟美国企业并非那么干净。在中国半导体加强自主研发之后，国内的许多技术都在迅速突破，本次长春光机所的技术破冰，更是让人看到了实现EUV光刻机自主生产的希望，意义重大。对此你们是怎么看的呢？