苹果A17 Bionic性能提升幅度或低于预期：不超过20%，受台积电3nm工艺影响

近期涉及A17 Bionic的一些消息在网络上流传，甚至出现了疑似的泄露测试成绩，之所以这么受关注，一定程度上与苹果首次引入台积电（TSMC）的3nm工艺有关。由于过去两三年里，苹果A系列SoC性能提升幅度较小，不少人都期待今年更换3nm制程节点后能有所改变。

工艺的领先是苹果A系列SoC表现更优的关键点之一，高通今年计划里的第三代骁龙8仍将采用台积电基于5nm制程节点的N4P工艺，存在一定的差距。不过据NotebookCheck报道，A17 Bionic最终的性能或许没有之前爆料的那么厉害，性能提升幅度不会超过20%。

据了解，这与台积电N3B工艺不能按计划进行有关，由于FinFET方面的问题，良品率并没有那么好，使得苹果降低了性能目标。有消息称，FinFET不太适应4nm以下的晶体管，很可能迫使台积电做出一些改变。按照台积电的规划，要到下一代2nm制程节点才会改用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管。

虽然受到了制造工艺的影响，不过以苹果在芯片设计方面的功底，相信A17 Bionic的表现也会让人满意的。传闻高通第三代骁龙8在性能方面的提升幅度不小，甚至可能超出不少人的预期，或许多少能给苹果制造一些压力。