美国全面断供华为，华为该如何应对？

据美国彭博社报道，知情人士透露，美国政府正在考虑切断美国供应商与中国华为公司之间的所有联系，禁止包括英特尔和高通在内的美国供应商向华为提供任何产品。

华为这次被卡的很彻底，对华为能做的，除了不断开拓新业务，现有的手机、PC等受冲击最大的业务想重生只能期待国产化了。华为是一块试金石，老美在华为身上施加的每一招，后面也都有可能施加在中芯国际等一票早被拉入和未来有可能被纳入实体清单的企业身上。

自中兴、华为被卡到现在已经四年了，这四年是国产替代快速发展的四年，我们在集成电路等关键领域的国产化程度有了很大的提升，但整体上与美日欧等主流市场的差距是非常明显的，一些高性能芯片上的差距还有扩大之势。过去四年，美国对华科技打压力度、广度和深度不断强化，但国内产业链icon仍有内外双循环的空间和时间，也让一些企业对外循环抱有希望。但当下，因为美国采取了硬脱钩的这种损人不利己的方式，纠集了日韩欧等对中国半导体产业全方位围猎，外循环的空间大幅压缩，特别是先进制程基本釜底抽薪了，内循环成了仅有的依赖。

半导体产业链的基石是设备与材料，但设备与材料的国产替代要受到很多因素影响。就算同类型国产设备性能与国外厂商相当，对晶圆厂来说，引入新机台，从验证到批量，耗时耗钱尚且不说，还要在工艺上承担一定的风险，承担风险也是要花真金白银的。所以，过去几年虽然关键设备国产化有很大进展，但从主要晶圆厂招标情况来看，国产化率仍然偏低。

网上有关半导体国产化率的数据很虚，因为半导体设备大类很多，每个大类下的细分小类更多。比如大家熟知的干法刻蚀icon设备，常见分类有介质icon刻蚀、硅刻蚀和金属刻蚀，再细分到技术就有CCP、ICP、RIE及更加先进的ALE等。介质刻蚀是器件制作中常见的工艺，但面对不同器件甚至同一器件，介质刻蚀工艺上也是有差异的。比如3D NAND中围绕3D结构就有台阶刻蚀、沟道通孔刻蚀、接触孔刻蚀等。中微公司和北方华创等基本能覆盖三大刻蚀类型，但在细分的刻蚀工艺上，覆盖程度不一，有些甚至空白。原来国产设备与泛林、应用材料等的机台互相配套，可以覆盖全部刻蚀工艺。但现在国外刻蚀断供，国内刻蚀又填补不了工艺上的空白，关键工艺受阻，影响就更大了。光刻机也类似，就算解决了机台的有无，还要解决工艺上的有无。但要想解决这些问题，就需要产业链各厂商通力合作了，而且时间是漫长的。

现在华为的脖子被卡的很死，中芯国际、长江存储等在这轮制裁下也备受煎熬。坏消息时这些厂商的产能扩产、技术研发乃至现有产线的正常运转都会备受煎熬，但另一方面也可以说，它们再不投入资源与国产设备厂商对接，更大范围的去推进设备材料国产化，未来前景如何，将要打个问号了。

今天一个群里有人就这些问题争得不可开交，乐观者有之，悲观者也不少，毕竟用他们的话说，现在断设备断材料断售后，直接一锅端了。现在的局势也倒逼国内晶圆厂与设备厂和材料厂及EDA等产业链企业，通过投入资源和成本，形成良好产业生态，专注产业，互惠互利，实现关键节点的全产业链国产化，让国产半导体产业涅槃重生。

还要补充的是，未来半导体产业的涅槃重生必须是高质量的，要与国家安全与科技发展目标相结合，而不是甘于蹲在某个节点借机捞钱。