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三星今天宣布了其 16 Gb DDR5 DRAM 的更新版本。该内存基于 12nm 级工艺技术构建，是目前市场上 14nm EUV 产品的升级版。

新的 DDR5 DRAM 还宣布与 AMD 产品兼容——它在 Zen 平台上进行了优化和验证。

三星 DRAM 产品与技术执行副总裁 Jooyoung Lee 表示，新标准将成为推动市场广泛采用 DDR5 DRAM 的关键推动因素。

它是使用增加电池电容的新材料和改善关键电路特性的专有设计技术制造的。

新的 DRAM 基于 EUV（极紫外）光刻技术，可实现更高的裸片密度和 20% 的晶圆生产率。它还减少了 23% 的电力消耗，为 IT 公司实现更环保的运营打开了大门。

首批采用新型 DDR5 DRAM 的记忆棒预计将于 2023 年开始发货。