兆易创新长期投资价值分析(报告节选)/全面剖析基本面

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公司业务分析

兆易创新成立于 2005 年 4 月,是一家领先的无晶圆厂半导体公司,致力于开发先进的存储器技术和IC解决方案,公司主营业务为存储芯片、微控制器(MCU)、传感器等的研发、技术支持和销售。公司的主要产品为闪存芯片,具体为NOR flash(主力产品)、NAND Flash(少量)、DRAM 利基型存储(代销+自研)以及 MCU 芯片、指纹识别芯片等等,总部位于北京市海淀区,2016年8月,公司在上海证券交易所成功上市。

创始人朱一明曾任iPolicy Networks Inc.资深工程师; Monolithic System Technologies Inc.项目主管。2005年朱一明自研开发出了每个存储单元只需要两个晶体管的 SRAM 芯片(较市面上需要 6 个晶体管的 SRAM,成本减少 2/3,性能提高 3 倍),以此创立兆易进军存储领域,但 SRAM 应用范围不够广泛,市场空间小,兆易开始寻求新突破口。

2008 年切入 NOR Flash 领域(当时市场规模 25 亿美金),2008年 5 月,兆易推出国内首款 SPI NOR Flash,截止目前,兆易创新 NOR Flash 全球市占率约为 20%,位列全球第三,国内市占率位居第一。

2011 年布局 MCU 市场,2017 年开始与长鑫存储合作 DRAM 销售与研发,实现 DRAM 国产替代,成功将主营业务市场规模从小几十亿美金市场拓展至百亿美金大赛道,2019 年收购思立微(国内指纹识别第一梯队)进军传感器市场,NOR Flash 是最主要盈利来源并保持至今。

从公司业绩构成来看,公司存储芯片业务收入占比最大,从毛利贡献上来看,存储芯片仍然为其核心盈利业务,2020年传感器收入上升并非该业务爆发式增长,主要是2019年数据仅涵盖2019年6月至12月(2019年5月底才纳入合并范围),而2020年度的传感器产品为全年数据;微控制器占比上升主要是由于消费类、计算机等市场需求的同比增加以及新产品的量产销售。但总体来看,存储芯片业务仍然是公司目前的核心业务,由此对该部分做重点介绍,对控制器和传感器业务做简单介绍。

主营业务分析

随着近些年5G技术的发展,社会越来越朝着万物互联的方向发展,AIoT = AI(人工智能)+IoT(物联网),即将智能赋予终端设备。将人工智能算法转移到物联网终端设备运行,减少对云计算的依赖,消除数据通信过程的延迟。AIoT的技术实现需要四大核心芯片:SoC(系统级芯片)、MCU、通信芯片、传感器。SoC:数据运算处理中心,实现智能化的关键。 MCU:数据收集与控制执行的中心,辅助SoC实现智能化。WiFi/蓝牙芯片:数据传输的中心,远程交互的关键。传感器:数据获取的中心,感知外界信号的关键。公司布局了MCU和传感器,在另外两种物联网关键芯片上布局了其核心构成Norflash(上游)。

业务一:存储芯片业务

存储芯片是半导体产业中的重要一环,是半导体三大支柱产业之一,2020 年大约占到整个半导体行业销售额的 26.7%。随着通讯技术升级,数据存储需求越来越多,存储芯片在半导体行业中的重要性会愈发凸显。

存储设备主要分为光学、磁盘和存储芯片三种。光学存储方式应用空间已经非常小,基本被淘汰;磁盘,是指利用磁能方式存储信息的磁介质设备,其存储与读取过程需要磁性盘片的机械运动,目前广泛应用于 PC 硬盘、移动硬盘等领域。存储芯片,又称为存储器,是指利用电能方式存储信息的半导体介质设备,其存储与读取过程体现为电子的存储或释放,广泛应用于内存、U 盘、消费电子、智能终端、固态存储硬盘等领域,目前有取代磁盘的趋势。而在半导体存储中,兆易创新所涉及的市场为上图中黄色分支:NOR Flash 、NAND Flash 以及DRAM。

其中市场产值最大的为DRAM 和 NAND Flash,NOR flash则是一个较小的市场。DRAM和FLASH两种存储之间的差异简单理解,可以大致看成电脑本身的内存和硬盘之间的差异,虽然有一定的替代关系(作用相同),但往往互补关系会更强。

Flash (闪存技术,掉电存储数据不会消失)可分为 NOR Flash 和 NAND Flash 两大类,公司的主力产品,主要为 NOR Flash、NAND Flash。

NOR Flash 主要用来存储代码及部分数据,分为序列式和平行式。平行式闪存传输速度快适合短距离通信,多为高密度产品,效能佳,但封装制造成本高,价格贵。序列式闪存适用于远距离通信,但传送速度较慢,多为低密度产品,效能较差,但封装占据空间小,制造成本低,价格低。随着工艺的进步,序列式闪存已经能满足一般系统对速度及数据读写的要求,逐步成为主要系统方案商的首选。

NAND Flash 可以实现大容量存储、高写入和擦除速度、擦写次数尚可,多应用于大容量数据存储。

NOR FLASH由于其本身储存容量小,经济实惠的特点,在功能机时代是主流,但是在智能手机时代,手机的功能大大增强,各类应用和程序对存储空间的需求较大,此时,NAND FLASH 凭借其高密度存储的优势成为了手机的新宠儿。与NOR Flash相比,NAND Flash具有单元尺寸更小、写入和擦除速度更高的特点。但它的缺点是较慢的读取速度和I/O映射类型或间接接口,这让它更复杂且不允许随机访问。另外,NAND Flash存在坏块,器件内需要集成ECC(错误检查和纠正)功能。因此,IoT终端客户可根据实际情况选择采用NOR Flash或NAND Flash。由于NOR Flash 在物联网领域仍有一定增长空间,由此也正迎来新一轮增长。

DRAM 被称为动态随机存储,它通过不断地刷新电路来进行数据的保存(掉电数据会消失),从存储能力来说,DRAM 集成度高,所能提供的存储容量更大,访问时间较长,但由于不断刷新电路也导致其功耗较高,速度较慢,价格上往往较为便宜。

业务二:微控制器业务

MCU 是 Microcontroller Unit 的简称,中文叫微控制器,俗称单片机,闪存芯片的衍生产品,是把 CPU 的频率与规格做适当缩减,并将内存、计数器、USB 等周边接口,甚至 LCD 驱动电路都整合在单一芯片上,形成芯片级的计算机,MCU 的可靠性要求极高,主要应用在手机、PC 外围、遥控器等消费电子,步进马达、机器手臂控制等工业控制和汽车电子等领域。


MCU 按照处理器的数据位数,可以分为 4 位、8 位、16 位、32 位。处理器的位数越高,其运算速度越快,支持的存储空间越大。随着下游应用的升级,MCU 逐渐往 32 位发展。基于ARM 内核的 32 位 MCU,具有良好的生态以及极佳的可拓展性,逐渐成为全球消费电子和工业电子产品的核心。据 IC Insights 数据,2019 年 32 位MCU 占比为 62%,16 位占比 23%,4/8 位占比 15%。预计到 2024 年,32 位 MCU 将超过 70%。

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页面更新:2024-02-16

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