三星电子以及更确切地说是三星的各个半导体分支机构都火了。在过去十年之交，三星处于世界之巅。他们在晶圆厂的份额迅速增加。三星是代工厂领域到多逻辑节点转换最快的公司。三星LSI设计团队正在推出最好的移动芯片设计。苹果完全依赖三星制造所有关键组件。三星在生产成本方面领先于其他DRAM制造商多年。这些技术优势都在分崩离析。

三星电子有一个文化问题，已经动摇了它的核心。三星在技术开发的各个方面都在下滑，包括他们历史上碾压所有竞争对手的一个领域，DRAM。他们不再生产前 3 名的移动 SOC，甚至联发科也超越了它们。晶圆业务已经将其两个最大的客户接连流失到台积电。有关于三星晶圆厂业务中谎言和欺骗的可靠报道。即使是英特尔刚刚起步的新晶圆代工业务也能够吸引三星代工的一两个客户！

本文将报道韩国媒体报道的许多症状以及我们自己对该主题的一些研究。需要明确的是，韩国媒体的一些细节未经证实，但总体问题是显而易见的。

三星电子显然出了点问题。

这些问题直接源于三星的文化构成。在进一步深入细节之前，我们认为总的趋势是这些问题已经冒泡多年，但已经达到了沸点。

首先，让我们从这个故事中最温和的部分开始，然后再进入最激烈的部分。三星有一项名为“游戏优化服务”的服务，它限制了除通用基准之外的大多数应用程序，甚至是Netflix和Instagram等非游戏应用程序。诚然，我们对此并不感到愤怒，因为Android OEM在基准测试应用程序上作弊的历史由来已久。三星因其行为而面临集体诉讼。

三星为什么要推出这项“游戏优化服务”？当然是为了控制热量和电力消耗。在过去的几代人中，热量和功耗一直很猖獗，因为节点问题已经在三星占据了头脑。即使回到几年前，一直到三星的内部CPU，由于领导不力，设计失败了。三星还有一个GPU团队，他们的罐头。这两个例子只是更多的例子，为什么开发自己的硅比看起来要困难得多。设计公司和晶圆厂的文化对成功至关重要。这些天才工程师需要正确的动机、方向和领导力。

在内部GPU架构失败后，三星的许多粉丝对采用AMD基于RDNA的GPU IP感到兴奋。这种兴奋是非常短暂的。与晶圆厂和工艺节点相关的问题在当前一代Exynos 2200 中真正引起了人们的注意。每瓦性能非常糟糕。基于 RDNA 的 GPU 的性能和功耗并不是此 SOC 的唯一问题。

三星最初计划在全球范围内更广泛地推出Exynos芯片。一些分析师和贸易出版物甚至预测，Galaxy S22系列总销量的60%是基于Exynos 2200的，40%是基于高通S8G1的。当然，事实证明这是一个哑弹，实际的 Exynos 销量最终不到 25%。虽然我们认为该计划不会上升到60%，但我们确实听说三星希望将Exynos处理器的份额提高到40%。销量不足主要是由于性能和产量。

据报道，三星的Exynos 2200产量非常糟糕。这部分是由于他们使用了4LPE节点。该节点在三星的 7/5nm 系列上进行创新，提供 198nm UHD 单元高度，而之前的节点具有 218nm UHD 单元高度。据传，该节点的收益率低至20%。这些似乎太低了，但我们听说参数收益率是可怕的，即使灾难性的收益率很好。另一位消息人士告诉我们，最终出货芯片具有更高的功率和更低的性能目标，导致大约80%的参数良率。无论如何，有传言称，高管之间达成了一项协议，即使它没有经济或功率/性能意义，也要尽可能运送最新的节点。谈谈自上而下的文化问题。

作为简短的解释，灾难性的良率损失是指晶体管、通孔或金属层的一部分根本不起作用。参数良率损失是当这些功能起作用时，但问题是它是否达到了性能、功率、电压等目标。由于 Exynos 2200 的参数化良率如此之低，芯片的目标必须向下调整。事实上，有传言指出三星将GPU上的时钟从计划的1.69GHz削减到1.49GHz，最终达到1.29GHz。

问题并不止于代工厂和SOC团队错过了他们的技术目标。面对错误，这种文化是相当有毒的。据称，这些不同的单位正在互相玩指责游戏。三星LSI（设计）指责三星代工厂，而三星移动指责S.LSI。

在其他情况下，三星LSI高管甚至似乎将责任归咎于韩国劳动法的变化。与其达到关键时刻并让工程师做荒谬的时间，员工应该被限制在每周最多 52 小时。虽然我们听说这没有得到完全遵守，但它减少了许多三星工程师的过度工作。三星的阻力如此强烈，甚至有立法来放松这些劳动法。

三星半导体中的文化已经变得如此有毒，以至于据称该代工厂甚至在产量上撒谎。韩国媒体报道说，有一个持续的管理概述和审计。这次审查的结果很可能是管理层和团队的改组，类似于去年无线部门的重组。后来关于撒谎的报道甚至深入到指控三星代工在5nm，4nm和3nm产能上对客户和三星董事长撒谎。考虑到韩国有多少媒体报道以及有多少当地专家参与其中，这些不同的报道似乎相当可信。我们甚至不会深入研究三星在向FinFET过渡期间对台积电进行的企业间谍活动。

我们可以肯定的是，高通对三星很生气。根据TechInsights的说法，高通使用了三星5nm节点的变体，该节点被称为4LPX，而不是像Exynos 2200那样更密集的4LPE节点。多个消息来源还告诉我们，S888和S8G1处理器的参数良率相当差，导致高通公司需要将这些SOC推向更高的功率水平以实现某些性能目标。

虽然高通S8G1的产量没有Exynos 2200那么低，但它们还远远不够。作为旁注，这对高通（和英伟达）来说效果很好。我们被告知，这两个客户已经协商按产量芯片而不是按晶圆制造付费。

由于S765G，S780G，S888和S8G1的问题，高通公司决定完全离开三星代工厂的高端SOC。高通甚至有专门的团队数月夜以继日地为台积电的N4工艺节点准备S8G1+。在可预见的未来，S8G2和未来的高端高通芯片将在台积电上。尽管近几个月智能手机市场放缓，但由于与高通的份额转移和内容持续增长，台积电今年和明年可能仍能保持智能手机领域的增长。

三星移动一直在竞相寻找替代品，而S.LSI部门在智能手机SOC上苦苦挣扎。韩国甚至有传言称，三星已转向评估Galaxy A系列阵容的联发科天玑阵容。 三星移动总裁TM Roh博士表示，有一款仅适用于Galaxy手机的新应用处理器。这很奇怪，因为大多数S.LSI Exynos SOC虽然是外部提供的，但基本上是三星Galaxy智能手机独有的。这表明三星移动和S.LSI之间有更多的内斗和戏剧性。

三星代工的问题甚至更深。正如我们去年报道的那样，他们的3nm GAP节点的代工厂产品甚至要到2024年才向外部客户发货。 3GAE，第一个全能门（GAA）节点，不断被默默地推回，甚至可能被取消。据称，产量非常糟糕。对于任何认为三星可以赶上台积电的人来说，因为台积电的 N3 问题和 N2 将于 2025 年底开始生产，您大错特错了。

三星已经失误并失去了他们最大的代工客户高通和第二大代工客户英伟达。正如我们本周早些时候在深入研究Nvidia的下一代Ada Lovelace游戏GPU时所报道的那样，该工艺技术是一种定制的台积电N4衍生产品，称为4N。

不过，三星LSI并不是完全混乱的。他们通过设计精良、价格合理的高效芯片在5G基础设施市场获得份额。他们还在现代和大众等信息娱乐系统中赢得了不少汽车胜利。S.LSI似乎非常适合与客户密切合作，例如在Tensor智能手机SOC上与Google密切合作。尽管取得了这一成功，但S.LSI似乎在每一个机会中都受挫，因为三星代工似乎已经使他们失去了下一代思科Silicon One网络ASIC的合同，而英特尔却失去了合同！

S.LSI多年来一直与特斯拉在自动驾驶/ADAS HW 3.0方面密切合作。这是一个共同设计的芯片，特斯拉得到了三星的协助，两者都为最终的芯片设计贡献了有意义的IP。这种芯片设计已经为特斯拉的汽车出货了数百万辆。HW 4.0原定于去年年底投入生产，但延迟似乎已将其推迟到今年。除了Ambarella，特斯拉是S.LSI/Foundry唯一的主要外部客户。

S.LSI最近也遇到了其他错误，例如在图像传感器市场。他们的ISOCELL智能手机传感器在采用混合键合方面进展缓慢，这与索尼不同，索尼自2017年以来一直在批量发货。此外，他们未能获得中国智能手机制造商的份额，这些制造商选择在高端使用索尼，在中端和低端使用Omnivision。独立的相机传感器和相机属于他们自己的部门，称为三星NX，但即使在三星对独立相机进行了数十年的投资之后，这也已被封存。

三星内存灾难

三星电子的摇钱树三星DRAM也并非一帆风顺。5年前，三星在密度、性能和成本结构上无疑优于美光和SK海力士。一些估计认为，在那些日子里，他们提前了一年半。现在，三星可以说在其中一些指标上落后于美光和SK海力士，尽管相对于这两个同行来说，三星的销量要大得多。三星在流程开发方面的过度激进行为源于文化问题，是罪魁祸首。

作为简短的入门，随着电容器缩放的放缓，DRAM密度和成本扩展已大大放缓。1Xnm一代是这种大规模放缓的第一个迹象，但从那时起，每个节点的成本扩展仅为15%左右。密度增长如此不温不火，以至于DRAM制造商已经转向使用字母作为后缀，而不是像20nm之前那样使用数字。相对于成本，功耗和性能方面的竞争，三星在1Y一代中遥遥领先。

这一切都随着 1Z 一代的到来而改变。三星决定非常积极地采用EUV。这是一个自上而下的决定，而不是工程。这些自上而下的决定在三星电子产品中普遍存在，它们是我们一直指出的文化问题的结果。凭借1Z，三星宣布将采用EUV。这是在大张旗鼓和媒体下完成的。三星对这一“成就”感到无比自豪。

三星通过吸收~50%的EUV工具主导了EUV工具的早期出货量。三星试图将其插入DRAM以及他们拙劣的早期7nm逻辑尝试。1Z DRAM 节点从未完全倾斜。这一趋势在下一代 1 Alpha 节点中得以延续，进一步提高了 EUV 利用率。据报道，该节点需要更长的时间来开发。虽然三星声称1 Alpha已经批量生产了相当长的一段时间，但它仍然没有显着增加。与此同时，SK海力士和美光已经能够通过不使用EUV的1Z一代赶上成本，性能和功率。

此外，在 1 Alpha 代中，美光继续推动 DUV，而 SK 海力士已开始插入 EUV。因此，美光已经在增加1 Alpha，而SK海力士和三星的音量增长都相当不温不火。SemiAnalysis估计，美光目前在DRAM方面具有成本优势，因为能够将其所有体积转移到1 Alpha代，并在整个产品线中实现最佳的密度和成本。

三星和SK海力士仍在为其第一代DDR5出货非EUV 1Y，而美光正在碾压竞争对手，并为第一代DDR5出货1Z代。此外，美光正在 1 Alpha 代工艺节点上快速跟进第 2 代 DDR5。需要明确的是，EUV并不是唯一的罪魁祸首，但它是最大的技术差异之一。

这就是三星最糟糕的地方。他们无法提高 1Z。他们无法提升 1 Alpha，现在有报道称他们已经取消了下一代 1 Beta 流程节点的开发！其他人报告说，三星正在通过直接推动1 Gamma节点来驱动另一个自上而下的冰雹玛丽。取消报告具有高度的可信度，因为它是基于三星一位心怀不满的工程师。他甚至发布了一个关于这个话题的博客！

该工程师已被验证为三星DRAM技术开发团队的一员。他给三星电子的两位负责人，董事长Lee Jae-yong和首席执行官Kye Hyun Kyung写了一封信，描述了失败和问题。该博客后来被删除，但韩国媒体从中捕捉到了一些非常令人担忧的引述。

我听过不少关于“危机”的故事，但我认为这一刻比以往任何时候都更加危险。在接二连三的事件中，最高决策者似乎无法抓住问题的根本原因。

三星DRAM技术开发工程师（谷歌翻译）

我们鼓励您检查一下，以真正掌握情况的严重性。对于4年的终身工程师来说，他对自己的工作充满热情，如此肆无忌惮地抨击是一个巨大的危险信号。由于韩国工作文化的明确等级方式，这是双重的。上个月，我们还看到一些三星DRAM技术开发员工搬到了SK海力士。这超过了正常的损耗率。

文化问题极大地震撼了三星。虽然三星电子的许多部门仍然是运转良好的执行机器，如三星显示器、NAND、汽车和网络，但最重要的业务陷入困境。这些文化问题最终导致三星失去了在DRAM领域的技术和成本优势，在领先的工艺技术竞赛中远远落后于台积电，失去了最大的代工客户，并在智能手机SOC设计方面输给了高通和联发科。