在光子芯片之后，中国也取得量子芯片突破，不再需要EUV光刻机

近日华为、百度等陆续公布了“超导量子芯片”专利，说明中国芯片在量子芯片技术上再进一步，这对于中国芯片行业来说无疑是重大的技术突破，ASML勒住中国芯片脖子的EUV光刻机将逐渐被淘汰。

华为是中国技术研发实力最强的科技企业，在芯片技术方面更是有深厚积累，由于美国的限制，台积电等芯片企业无法再为华为代工生产芯片，因此华为研发绕开EUV光刻机的新芯片技术更为迫切，如今它发布超导量子芯片专利，代表着它在新芯片技术方面的重大突破。

除了华为之外，在今年10月百度也公开了一件超导量子芯片专利，合肥本源量子计算公司更是在量子芯片制造、量子芯片工业设计软件方面取得突破并筹建量子芯片生产线，这都显示出中国芯片企业在量子芯片技术上的快速突破。

量子芯片被视为芯片技术的未来，可以大幅提升芯片的计算能力，改变当下的芯片技术路线，其实除了量子芯片之外，中国在光子芯片方面的进展更快。

日前《北京日报》报道指中国筹建全球第一条光子芯片生产线，预计到2023年实现量产，这就意味着中国在光子芯片商用方面走在了世界前面。光子芯片的运行速度将是当前硅基芯片的1000倍，而功耗将只有硅基芯片的千分之一。量子芯片和光子芯片的突破，为中国芯片行业的发展打开广阔的前景。

对于中国芯片产业来说，目前最大的阻碍无疑就是EUV光刻机，由于众所周知的原因，ASML至今无法对中国只有出货EUV光刻机，而EUV光刻机对于中国芯片产业推进7nm及更先进工艺非常关键。

不过中国显然不愿受困于EUV光刻机，基于现有的芯片技术，中国研发了芯粒技术，可以大幅提升芯片性能，依托于国内已经量产的14nm工艺可以获得7nm的性能，并且中国的芯粒技术已走在世界前列，通富微电研发的5nm芯粒技术已获得AMD的认可，AMD交给通富微电近百亿美元的订单，另外一家东莞的企业更已研发出3nm封测技术，都凸显出中国基于现有芯片技术的突破。

正如上述当前的先进芯片制造工艺还是需要EUV光刻机，中国也在努力寻求自研EUV光刻机，据悉已申请了数十项专利，只不过EUV光刻机需要上十万个零件，本身就是一条很长的产业链，解决EUV光刻机需要较长的时间，为此中国开始大举发展新芯片技术，石墨烯芯片、量子芯片、光子芯片等都是中国正在研发的先进芯片技术。

如今中国在量子芯片、光子芯片方面都取得了突破，那就意味着中国或将实现弯道超车，彻底绕开EUV光刻机，开辟新的芯片技术路线，彻底摆脱ASML的羁绊，如此中国可以彻底掌握芯片自研技术优势。

中国加快光子芯片的商用，量子芯片也在加快进度，对于ASML来说无疑是巨大的打击，意味着ASML赖以自豪的EUV光刻机将因此被彻底抛弃，恐怕ASML也没想到它研发的EUV光刻机技术竟然如此快就被抛弃吧。