技术人员拿着硅片

周四，三星高调宣布，它击败竞争对手台积电 (TSMC)开始大规模生产3纳米芯片，这无疑彰显着三星在全球最先进芯片的激烈竞争中的领先地位，同时对于三星而言，不难看出，3纳米芯片大规模量产，也标志着其芯片研发进度达到了一个重要的里程碑。

值得一提的是，该公司还表示，其3纳米芯片将采用所谓的全环栅极晶体管架构，与 5 纳米芯片相比，可有效降低高达 45% 的功耗并提高 23% 的性能。

一、下一代技术

三星还将使用一种称为”多桥通道 FET (MBCFET ) “的产品。该工艺首次实施，突破了 FinFET 的性能限制，通过降低电源电压水平提高了电源效率，同时还通过增加驱动电流能力来提高性能。

“随着我们继续展示下一代芯片技术应用于制造方面的领先地位”。三星公司总裁兼代工业务负责人 Siyoung Choi 博士在声明中表示，“我们将寻求通过世界上第一个采用 MBCFET 的 3纳米工艺来继续保持这种领先地位。

“我们将继续在有竞争力的技术开发中积极创新，并建立有助于加快实现技术成熟的流程。”

该公司还计划扩展到移动处理器。与此同时，台积电表示其 3 纳米的量产将在今年下半年开始，远远晚于三星。这是否意味着三星将赢得来自苹果和高通等大额、稳定、订单的竞争？

台积电目前主导着合同芯片生产市场，是苹果 iPhone、iPad、MacBook 和 Mac 芯片的制造商。为了在新合同中击败该公司， 三星必须证明其新的3纳米工艺的成本效益。

二、兼容多种平台

看起来它确实能够做到这一点。三星与德国跨国公司西门子合作，确保他们的新芯片在各种平台上工作。

“Siemens EDA 很高兴与三星合作，以帮助确保我们现有的软件平台在三星新的3纳米工艺节点上也能从初始开发阶段开始工作。我们通过 SAFE计划与三星的长期合作伙伴关系，为我们共同的客户创造了巨大的价值，”西门子数字工业软件公司 IC-EDA 部门执行副总裁 Joe Sawicki 说。

三星的芯片目前将在韩国生产，首先是在其华城工厂，然后再转移到其平泽中心。该公司还计划在得克萨斯州建立一座即将到来的芯片工厂，最终可能能够生产 3 纳米芯片，但计划要到 2024 年才能开始大规模生产。

最近全球范围内的大规模芯片短缺给芯片制造商带来了很大的压力。三星的创新可能会减轻部分压力。