美院士预言成真，雷军：手机对标苹果，芯片接棒华为扛起自研大旗

一年前华为遭遇硬件受阻的时候，有美院士直接指出，限制华为发展并不能阻碍中国科技发展，反而会激起中国企业独立自主的决心，特别是芯片设计领域。同时还会不可避免地失去中国这个全球最大单一市场，最终受损最大的反而是美科技巨头公司。

放在当下的时间来看，该院士的预言正在变为现实。在海思芯片受阻后，我们从上而下，并没有因此放弃，反而加大了在芯片领域的投入。短短的一年时间我们在芯片工艺制程、极紫外光源、高精度双工平台、5nm光刻胶等关键领域实现了技术突破。除此之外，在看到华为芯片受阻后，国内其他手机厂商并没有退缩，反而纷纷加入到芯片自研。

OPPO、vivo纷纷建立了自己的芯片研发团队和技术中心，小米更加坚定了自研芯片的决心，加大了在芯片领域的投入，并取得了重大突破。早在2015年，小米就发布了自主研发的澎湃S1芯片，虽然在投入量产后遇到了困难，但是小米并没有放弃，反而加大投入。

2021年推出了首款ISP芯片澎湃C1，让小米成为继华为之后第一个自研ISP芯片的国产手机厂商。可以说，虽然小米和华为在芯片领域还有很大差距，但小米正在积极向华为靠拢。有了澎湃C1成功后，小米继续对芯片进行投入，在即将发布的小米12上推出了自研快充芯片，澎湃P1。

当然会有人嗤之以鼻，认为一个电源芯片而已，并不能和手机SOC芯片相比。但这款芯片对小米而言，却意义重大，表明了小米从芯片设计的追随者，变成了领跑者。因为这次澎湃P1做到了行业领先。

目前手机行业要实现120W快充，需要采用双电芯方案，但是这个方案但双电芯会占用手机内部空间，电池电量就会被迫妥协，大功率下4500mAh基本成为极限容量。为了解决容量和快充的矛盾，小米向大功率充电的“无人区”-单芯方案进行探索。推出行业首款120W单电芯，自研“澎湃P1”充电芯片。这款方案最大的优势就是，全新自研4:1直充架构，高效的电荷泵大幅降低充电过程中的能量损耗，提升充电效率。这意味着双电芯容量比单电芯少400mAh左右，换算成使用时长几乎能是增加到了1小时续航。

虽然现在的小米在芯片设计还距离海思还比较远，但是“不积跬步无以至千里”，相信小米在未来的积累中会摘下手机SoC芯片的设计的桂冠。也坚信会有更多的国产企业参与芯片产业链建设，让老美为自己当初的决定追悔莫及。