台积电2nm，罕见被砍单

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外电引述供应链消息指出，英特尔下一代「Nova Lake-S」处理器生产策略大转向，从原订约六至七成委由台积电2纳米代工，改为多数由自家生产，外包降至20%以下，等于大砍台积电逾六成订单量。

外媒指出，英特尔相关策略改变，关键在于自家18A制程良率显著提升。业界分析，此举反映英特尔先进制程良率大跃进，拉近与台积电的差距。

市场关注，若英特尔大幅缩减Nova Lake释单台积电代工规模，是否影响台积电2纳米接单？业界认为，台积电2纳米产能供不应求，即使英特尔砍单，仍可望迅速由苹果、辉达、超微（AMD）及其他高效能运算（HPC）客户填补，研判对台积电整体产能利用率影响相当有限，惟英特尔后续是乘势出击，争取更多晶圆代工订单，值得关注。

根据投资银行KeyBanc Capital Markets先前研究，英特尔原本规划Nova Lake采取双重供应模式，主要运算晶粒约六至七成委由台积电以2纳米制程生产，其余则由英特尔以自家18A制程制造，希望兼顾供货弹性与生产风险。然而，最新供应链消息透露，英特尔已重新检讨生产配置，决定将约八至九成运算晶粒转回自家18A制程，台积电相关代工订单将大幅缩减。

业界分析，若相关规划成真，将是英特尔近年推动制造策略最重要的转折点之一，因为过去几年由于制程推进不如预期，英特尔陆续将部分高阶产品交由台积电代工，借此缩短产品上市时程，也让市场一度认为英特尔高度仰赖台积电的先进制程支援。如今若能重新将Nova Lake大部分产能拉回自家生产，不仅代表18A已具备稳定量产能力，也显示英特尔重新建立对自家制造体系的信心。

业界指出，英特尔在Panther Lake产品已量产数月之后，旗下18A制程持续累积实际生产经验，目前缺陷密度（D0）已降至约0.1至0.2的成熟区间，芯片报废率同步下降，已足以支撑高阶产品大规模量产，不再是影响产品时程的瓶颈。

业界认为，18A是英特尔近年最具代表性的先进制程，导入RibbonFET环绕式闸极电晶体（GAA）与PowerVia背面供电等新架构，被视为与台积电2纳米正面竞争的重要技术平台。若Nova Lake大幅增加以18A生产比重，代表英特尔对该制程的成熟度已有相当把握。

英特尔先进封装也要急起直追

英特尔全力冲刺18A先进制程之际，同步加速先进封装领域布局，传出其EMIB-T先进封装技术后段良率已提升至九成以上，并吸引Google、Meta及微软等大型云端服务供应商（CSP）评估导入，显示英特尔正藉由先进制程与先进封装双引擎，强化AI芯片供应链竞争力。

业界指出，AI芯片朝向更大尺寸、更高频宽与更高整合度发展，先进封装的重要性已不亚于先进制程，目前市场仍由台积电CoWoS技术居于领先地位，但在全球AI芯片需求持续攀升下，CoWoS产能长期供不应求，也让英特尔看见切入契机，积极扩大先进封装版图，希望成为国际芯片大厂另一个选择。

英特尔近年持续优化EMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge）技术，其中，最新EMIB-T锁定AI应用需求打造，可支援超大型封装设计，并能灵活整合ASIC、HBM及I/O等不同晶粒，在兼顾成本与良率下，提供不同于传统矽中介层（Interposer）的解决方案，加上后段封装良率突破九成，提升客户导入意愿。

除2.5D封装外，英特尔同时强化3D封装技术Foveros Direct技术，透过铜对铜（Copper-to-Copper）直接键结技术，提高芯片堆叠密度与传输效率，瞄准资料中心、高效能运算（HPC）及AI加速器等高阶市场，与台积电SoIC等先进封装技术正面交锋。

（来源：经济日报 ）

*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。

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