别只挑刺华为+中芯，14nm后的芯片，全是等效工艺！台积电也一样

如果大家关注国内的关于芯片的一些消息。

会发现有两类比较典型的声音，一种声音是夸奖国内芯片突破的，比如华为与中芯，在没有EUV光刻机的情况之下，双方通过不断的努力，实现了7nm芯片的突破。

并且接下来基于韬定律，双方今年发布的麒麟芯片，可能会达到3nm的水平，然后在2031年会达到1.4nm的水平。

另外一种声音，则是一些冷嘲热讽的，称什么7nm，什么3nm，什么1.4nm，都是等效工艺，并不是实际的真实工艺，等效工艺与实际工艺是有差距的。

你不能说这种说法没有道理，但是，关键点来了，全球的芯片产业其实都是如此，当芯片进入14nm后，就已经没有真实的工艺了，全部是等效工艺，台积电、三星、intel们都能用等效工艺，那华为+中芯为何就不能用了？

我们知道，在28nm之前，所谓的芯片工艺指的是晶体管中栅极长度，这个长度是多少，代表的就是多少nm的工艺。

所以晶圆厂们不断的缩小这个栅极长度，来达到微缩工艺的目的。

但后来大家发现，当这个栅极长度缩小到一度值也就是20nm左右时，再缩小就会出问题，也就是"短沟道效应"，会导致功耗增加，漏电严重，性能非常不稳定。

于是晶圆厂们就开始想办法，改变晶体管的结构，形状等，比如从进入FinFET晶体管时代，再进入GAAFET晶体管时代等，用3D晶体管，来让信号传输路径的缩短，从而提高晶体管密度。

而这种办法，实际上就是等效工艺，即14nm本身，并不是指栅极长度是14nm，而是通过结构调整，让其达到了14nm芯片的性能。

包括后面的10nm、7nm、5nm、3nm芯片工艺都是如此，通过调整晶体管结构，以及改进设计，让其在哪怕极栅长度不改变的情况之下，也能获得3nm的性能，这就是等效3nm工艺。

所以，别只盯着华为+中芯，看到它们的芯片突破了，就开始吐槽它是等效工艺，不是实际真实工艺，这明显就是双标了，因为大家都是如此，14nm之后，没有真实工艺全是等效。

按照ASML之前公告的数据，台积电的3nm工艺，实际的金属半节距在23nm左右，而2nm是大约在21nm，1nm对应的是18nm，之后很难再降了，最低也会保持在16nm以上，因为太低了，"短沟道效应"会非常严重，台积电也控制不了。