三星电子GTC首秀HBM4E 全面赋能英伟达Vera Rubin平台

纽斯频通讯社首尔3月17日电 韩国三星电子在英伟达GTC（GPU Technology Conference）活动上公开下一代高带宽存储器（HBM4E）技术及人工智能（AI）存储综合解决方案，加强对全球AI半导体市场的布局。公司首次公开HBM4E实体芯片和核心晶圆，展示为英伟达下一代"Vera Rubin"平台供应存储器的能力。

三星电子发布的HBM4产品。【图片=三星电子提供】

据三星电子17日消息，公司在当地时间16日至19日于美国圣何塞举行的英伟达GTC上公开下一代存储技术，重点展示HBM4E技术实力及面向AI平台的存储综合解决方案。

展台设立"HBM4 Hero Wall"，展示HBM4技术及综合半导体企业（IDM）竞争优势，凸显涵盖存储、逻辑设计、晶圆代工、先进封装的全流程技术体系。在"英伟达展区"中，三星强调双方合作，介绍了共同完成英伟达AI平台的战略伙伴关系。

展区分AI工厂（AI数据中心）、本地AI（端侧AI）及物理AI三大板块，同时展示GDDR7、LPDDR6、PM9E1等下一代存储架构。

17日，即活动第二天，三星电子AI中心负责人将发表演讲，阐述英伟达下一代系统的重要性及三星存储综合解决方案愿景。

三星电子在此次展会上首次公开HBM4E实体芯片和核心晶圆。产品结合1c DRAM工艺与三星晶圆代工4纳米基础芯片设计能力。HBM4E以支持每引脚16Gbps速度和4.0TB/s带宽为目标进行开发，是集存储、晶圆代工、逻辑设计、尖端封装能力于一体的架构。

封装技术也得以公开。通过视频介绍了混合铜键合（HCB）技术，其热阻较传统TCB降低20%以上，并支持16层以上的高堆叠结构。

三星电子重点强调其为Vera Rubin的存储供应能力。展区同时展出面向Rubin图形处理器的HBM4、面向Vera中央处理器的SOCAMM2以及存储产品PM1763。SOCAMM2是基于低功耗DRAM（LPDDR）的服务器内存模块，已完成质量验证，进入全球首批量产供货阶段。

基于PCIe Gen6的服务器SSD PM1763也一同公开，将作为Vera Rubin平台的主存储设备。展台上，通过搭载PM1763的服务器直接演示英伟达可欧章加速数据访问（SCADA）工作负载。

三星电子还计划为CMX（Context Memory eXtension）平台供应存储产品，包括基于PCIe Gen5的服务器SSD PM1753，该产品在AI工厂展区公开。（完）

韩国纽斯频（NEWSPIM·뉴스핌）通讯社