这周,全球存储巨头美光(Micron)发布最新的业绩报告,最新季度营收同比增长近两倍,增速远高于华尔街分析师的预期。
更重要是资本开支计划,本财年支出上调25%至250亿美元,下财年还要增多100亿美元资本开支。
另外据产业链最新调研,2026年一季度,DRAM和NAND的合约价涨幅已逼近100%。
这是什么概念?意味着短短三个月,存储产品的价值翻了一番。

大家要知道,进入二季度,尽管基数已经垫高,但机构预测DRAM合约价仍将实现50%以上的环比仍有望保持较高涨幅。
那么站在当下,存储芯片涨价是否持续?股价涨幅较大之后,还值得我们跟踪吗?
要理解存储芯片的发展周期,首先要重新认识存储芯片的两个核心角色:
NAND Flash(硬盘):过去它是“档案库”,负责长期保存数据,容量大但速度慢。
DRAM(内存):过去它是“办公桌”,临时存放CPU要处理的数据,速度快但断电即失。
但在AI时代,这两个角色的定义或被改写。
HBM(高带宽内存),成为了AI芯片的“超级贴身工作台”。
通过先进的3D堆叠技术,它紧紧贴在GPU旁边,提供极高的数据传输带宽。
可以说,没有HBM,再强大的AI芯片也跑不动大模型。
而在大模型推理中,存储技术更是关键。
为了让AI像人一样流畅对话,记住长长的上下文,模型需要巨大的临时缓存空间。
上下文越长,对内存容量和带宽的要求就呈超线性增长。
直接看数据,2026年2月,全球主要大模型消耗的Token数量是去年同期的10倍以上!

谷歌日均处理的Token量在一年内增长了数十倍。
所以,当前存储芯片或与算力芯片强绑定,是AI算力的核心基础设施之一。
对于存储芯片,本质上还是一个周期行业,所以我们要从供需方面来了解整个存储芯片的发展情况。
需求高速增长之下,供给端,却短期无法新增。
存储行业中三星、SK海力士、美光等六大巨头占据了全球90%以上的份额。
但这些巨头吃过以前盲目扩产导致价格下跌的亏,巨头们现在对扩产慎之又慎。

另外门槛极高,建一座晶圆厂动辄上百亿美元,技术壁垒森严。
还有就是有限的产能被优先分配给利润最丰厚的HBM和服务器DDR5。
留给消费电子(手机、PC)的产能被严重挤压。
结果就是三大原厂的库存已降至3-5周的历史极低水位,渠道和下游客户几乎空仓。
还有就是全产业链的价格传导
从AI必需的HBM、DDR5,到因产能被挤占而缺货的DDR4、消费级SSD,整个存储板块都在经历价值重估。
在这样“供不应求”的高景气周期背景下,我们或许:

1、上游设备与材料
HBM的核心在于3D堆叠和TSV(硅通孔)技术。
随着堆叠层数从8层向12层、16层演进,对键合机、刻蚀机、量测设备的需求将呈倍数增长。
还有HBM对散热和信号传输要求极高,高端封装基板、特种环氧塑封料、前驱体材料等将有望迎来量价齐升。
2、存储模组与控制芯片厂商
在价格上涨初期,那些在低位有大量库存的模组厂商,将可能享受库存增值带来的较为可观的利润弹性。
还有随着NAND层数增加和接口速度提升(如PCIe 5.0/6.0),对存储主控芯片的性能要求大幅提高。
能够提供高性能、低功耗主控方案,并能协助原厂进行固件调优的企业,将可能成为连接原厂与终端的关键枢纽,话语权显著提升。
3、国产化供应链
在全球供应链重构的背景下,国内科技巨头对供应链的需求较大。
目前国内头部存储企业在128层以上3D NAND、17nm级DRAM已实现规模化量产,并在HBM相关技术上取得关键突破。
在“缺货+保供”的双重驱动下,国产存储产品有望逐步提升市场份额与供应链地位。
美光的扩产计划、行业的库存警戒线、以及进入价格涨幅,本质上可能都在指向一个方向:在算力需求持续高企的今天,高质量的存储能力可能成为AI大模型发展的重要资源。
所以,存储芯片或许值得我们持续跟踪。

特别声明:以上内容绝不构成任何投资建议、引导或承诺,仅供学术研讨。
如果觉得资料有用,希望各位能够多多支持,您一次点赞、一次转发、随手分享,都是笔者坚持的动力~
更新时间:2026-03-23
本站资料均由网友自行发布提供,仅用于学习交流。如有版权问题,请与我联系,QQ:4156828
© CopyRight All Rights Reserved.
Powered By 71396.com 闽ICP备11008920号
闽公网安备35020302034844号