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文 | 科技大怪兽

编辑 | 沐沐

序

光刻机作为半导体产业的“工业母机”，直接决定着芯片制程的上限，更是全球科技博弈的核心战场。

在我国光刻机自主研发之路取得突破性进展、逐步打破西方技术垄断的关键节点。

美荷两国曾同时发声，对中国独立研发的光刻机技术给予了强烈批评。

这场罕见的联合批评，并非单纯的技术争议，而是两国精心策划的舆论攻势。

美荷两国的指责

彼时，美荷两国政客及相关机构轮番表态，口径高度一致。

将中国光刻机技术的自主突破污名化，试图在全球范围内构建“中国技术违规”的认知，阻碍中国科技自主的步伐。

美荷两国的联合指责，有着明确的指向和统一的话术，充满了傲慢与偏见。

美国是率先发难的，一边施压荷兰收紧对华光刻机出口管制，一边公开指责中国光刻机技术“来源不清”，炒作“窃取西方知识产权”“挖角核心技术人才”等不实言论，甚至在国会听证会上无端质疑中国光刻机的研发合法性。

荷兰则在美方施压下紧随其后，不仅附和美国的指责，其政客还公开表示，中国研发光刻机“违反相关规则”，担忧技术突破会“打破行业平衡”。

ASML高层更是放出狠话，宣称“没有EUV，中国芯片产业会停滞10到15年”，暗指中国的技术突破依赖西方，不配拥有自主研发成果。

这场联合指责的背后，是美荷两国维护技术垄断、遏制中国发展的深层动因。

长期以来，美荷两国掌控着全球光刻机核心技术，ASML更是垄断了高端光刻机市场，中国在光刻机领域的持续突破，正在打破这种垄断格局，直接威胁到两国在全球半导体产业链中的核心利益。

美国试图通过指责与封锁，遏制中国高端制造业发展，维护其全球科技霸权。

而荷兰则在美方的胁迫下，被迫牺牲自身经济利益，配合美国的霸权行径，毕竟美国曾明确表示，若荷兰不配合对华管制，将可能实施单边制裁。

面对美荷两国的联合指责，中国没有停留在口头反驳，而是用实际行动作出有力回应。

中国光刻机技术的独立之路

光刻机被誉为“人类工业文明的结晶”，一台高端机型包含超10万个精密零件，长期以来被少数西方企业垄断，是制约中国芯片产业发展的“卡脖子”难题。

面对美荷两国的技术封锁与舆论抹黑，中国科研工作者坚守自主创新之路，历经二十余年深耕。

在光刻机研发领域实现从无到有、从弱到强的跨越式发展，铸就了一系列辉煌成就，打破西方技术垄断，为中国芯片产业自主可控奠定坚实基础。

整机研发的迭代突破是最直观的成就，以上海微电子为核心，逐步打破西方垄断。

自2002年成立以来，上海微电子稳步突破技术难关，从90纳米、65纳米、45纳米逐步进阶。

2022年完成28纳米DUV光刻机样机测试，2024年实现批量交付，填补国内中高端光刻机市场空白。

2025年，其90nm ArF光刻机实现量产，还中标1.1亿元采购项目，芯上微装等新兴企业也加速崛起，自主研发的350nm步进光刻机完成验收，形成“龙头引领、多点突破”的态势。

核心零部件的自主突破，为整机研发提供坚实保障。

光源和光学系统作为光刻机核心，曾被西方牢牢掌控。

哈尔滨工业大学研制出13.5nm波长EUV光源，打通高端光刻机核心瓶颈。

中科院上海光机所实现全固态深紫外光源突破。

截至2025年，国产光刻设备形成“研发—应用—迭代”的良性循环，带动配套产业升级，资本市场也给予高度认可。

中国光刻机研发的成就，是科技自立自强的生动缩影，打破了全球半导体装备垄断。

虽与国际领先水平仍有差距，但已充分证明中国有能力突破封锁。

未来，随着新一代光源路线推进，国产EUV有望站稳脚跟，中国必将在全球半导体领域书写更多辉煌。

结语

美荷两国曾经的联合批评，终究只是其维护技术霸权、遏制中国崛起的徒劳尝试。

这场舆论攻势，既没能掩盖中国光刻机自主研发的坚实步伐，也没能阻挡中国芯片产业突破封锁的前进势头。

所谓“技术来源不清”“窃取知识产权”的不实指责，不过是西方不愿接受自身垄断地位动摇、不愿正视中国科技进步的傲慢借口。

事实已经给出最有力的答案：中国的光刻机技术突破，从来不是“捷径”，而是无数科研工作者数十年深耕不辍的坚守，是全产业链协同发力的成果。

如今，国产光刻机稳步迭代，核心零部件逐步实现自主可控，中国已然走出了一条属于自己的科技自主之路。

美荷两国的短视指责，不仅破坏了全球半导体产业链的协同发展，更让自身错失了中国市场的广阔机遇。

未来，无论面临何种舆论抹黑与技术封锁，中国都将坚定走自主创新之路，以实力打破垄断、回应质疑。

在全球科技博弈中站稳脚跟，用科技自立自强书写属于中国的发展篇章，也为全球半导体产业的多元化发展注入新的活力。