HBM供应紧缺，AMD推出首款封装LPDDR5X内存SoC！

当地时间6月30日，AMD正式发布了 Versal Premium Gen 2 Memory on Package（MoP） 自适应SoC（片上系统）。这款芯片首次将最高32GB的LPDDR5X内存直接集成在芯片封装内部，可提供高达288GB/s的带宽，同时板卡面积缩减超过60%。

AMD这一决策并非技术上的“炫技”，而是面对当前HBM供应持续紧张、价格居高不下的残酷现实，所做出的务实之举。

告别HBM依赖：为嵌入式系统“减负”

长期以来，Xilinx（已被AMD收购）的FPGA和自适应SoC产品线一直有集成HBM的传统，例如Versal HBM系列就搭载了HBM2e内存。然而，AI需求爆发彻底打乱了HBM供应格局，HBM产能被数据中心GPU、AI ASIC大量挤占。

更重要的是，嵌入式、工业、航空航天等领域的客户，其产品生命周期往往长达10-15年，这与HBM受数据中心驱动的快速迭代节奏严重不符。HBM的高成本、对CoWoS等先进封装的依赖，以及对宽温环境的适应能力，都使其在嵌入式市场显得“水土不服”。

这些变化导致了HBM2e等产品迅速停产。到2025年9月，AMD因无法获得足够的HBM2e供应，不得不启动了Versal HBM系列的停产程序。

而现在，AMD Versal Premium Gen 2 MoP直接转向LPDDR5X内存代替了HBM，是在权衡性能、成本和供应稳定性后的战略决策。

AMD自适应与嵌入式计算事业部产品管理和营销负责人Sumit Shah表示：“多年来，系统架构师一直不得不在所需的内存带宽与程序实际可用的空间、功耗和使用寿命之间做出选择。MoP技术消除了这种权衡。”

MoP架构：带宽提升、简化设计、延长寿命

AMD此次推出的Versal Premium Gen 2 MoP，最多可在一颗芯片内集成封装四颗 LPDDR5X，容量最高达32GB，速度高达9000 MT/s，带宽高达 288 GB/s。

与上一代标准版Versal芯片相比，Versal Premium Gen 2 MoP的主要优势包括：电路板面积减少 60%，使用寿命延长至 15 年以上，以及计算性能提升 10 倍等。

具体来说，Versal Premium Gen 2 MoP方案带来的变化主要包括：

电路板面积减少：对于空间极度受限的嵌入式应用场景（如3U VPX军用级系统、EDSFF企业级存储、PXI测试测量模块等）而言，电路板面积减少 60%，意味着可以在更紧凑的空间内实现更高性能，解决了长期以来“性能与空间不可兼得”的难题。

更高带宽：集成封装的LPDDR5X-9000能提供288GB/s的带宽，虽然不及HBM3，但与配备板载 LPDDR5X DRAM 的 Versal Premium Series Gen 2 （拥有 270 GB/s 总内存带宽）相比仍高出超5%，足以满足AI推理、视频处理、网络包分析等大量嵌入式工作负载的需求。

简化设计：通过将预验证的LPDDR5X内存直接集成在封装内，AMD免去了客户在板级进行高速内存布线的复杂工作，据称可节省数月的开发时间和验证成本，并降低因高速信号完整性问题导致的多次改板风险。

封装技术创新：与采用昂贵硅中介层的HBM方案不同，MoP架构利用有机基板将主芯片与LPDDR5X内存直接连接。内存颗粒与基板的间距仅0.4mm，简化了制造流程，同时也提高了供应链的连续性。

供应与生命周期：LPDDR5X是成熟的JEDEC标准产品，有更多供应商（三星、SK海力士、美光等）供货，AMD因此能为其提供超过15年的生命周期支持，解决了客户对长期供货的担忧。

值得一提的是，Versal Premium Gen 2 MoP 自适应 SoC 专为严苛的物理环境和企业级 AI 环境而设计，支持 -40 摄氏度至 110 摄氏度的工业级运行，非常适合始终在线、任务关键型系统。

规格参数与上市时间

Versal Premium Gen 2 MoP首批提供三款型号，均在封装内集成了32GB LPDDR5X，配备8个x32位内存控制器，组成256-bit位宽接口，理论带宽达288GB/s。

预计Versal Premium Gen 2 MoP 将在2026年底开始提供样品，2027年下半年正式量产出货。

编辑：芯智讯-浪客剑