前沿导读

据美国科技媒体Tom`s HARDWARE新闻指出，美国战略与国际研究中心在上个月发布了最新报告，报告指出中国半导体产业在2014年至2023年期间总投入约为1420亿美元，相当于美国《芯片法案》同期投资的3.6倍。

中国半导体产业的投资规模庞大，也取得了显著的技术进步，但是与全球最前沿的技术相比，中国半导体产业依然处于快速追赶阶段。其最大的问题就是中国企业无法购买到EUV光刻机，而且国产先进光刻机也迟迟没有消息，这会让中国企业与国际水平的差距越来越大。

规模投资

根据市场分析机构Counterpoint Research的数据显示，在2025年全球晶圆代工厂的市场规模当中，台积电以72%的产值稳坐全球晶圆厂龙头老大的地位，韩国三星以7%的市场产值位居全球第二，中国大陆的中芯国际以5%的市场产值位居全球第三。

而在全球晶圆代工厂的市场营收当中，台积电以38%的营收占比位居全球纯晶圆代工厂老大的地位，其次是4%营收占比的韩国三星以及3%营收占比的中芯国际。

无论是市场产值还是营收能力，台积电都是全球第一，而且台积电依靠着EUV光刻机以及强大的工艺技术，在先进制程上面一骑绝尘，几乎吃掉了全球九成以上的先进逻辑芯片以及先进ai芯片产能。

美国通过《芯片法案》以及关税政策，强制性迫使台积电在美建厂发展，甚至还要求台积电扶持英特尔这种美国本土企业掌握尖端的制造技术，重塑美国在先进制造业上的领先地位。

晶圆代工厂反映的是各地区最先进的半导体产业技术，台积电虽然地处中国台湾省，但是其背后有大量外资介入，被美国长臂管辖并逐步将其先进制造技术迁往美国本土工厂。

韩国三星是全球仅次于台积电的第二家先进晶圆厂，掌握3nm制程工艺以及GAA晶体管结构的制造技术。

中国大陆地区的中芯国际，是继台积电、三星之后的全球第三大晶圆厂。中芯国际旗下的先进工厂多年前就已经掌握了Fin FET晶体管技术，并且在14nm节点、N+1、N+2工艺下的等效7nm节点实现了量产。

据美国半导体机构SemiAnalysis的产业分析师指出，中芯国际的制程技术较全球最先进水平落后了至少两三代。

由于其无法获得EUV光刻机，导致中芯国际只能用之前采购的浸润式DUV通过多重图案化技术制造7nm芯片，这种方法可以暂时缓解中国国产先进芯片的短缺情况，但是在向下推进的过程中将会愈发困难，其良品率和成本均无法预测。

而台积电、三星等老牌晶圆厂巨头已经开始布局2nm及更先进的GAA晶体管技术，甚至美国本土的英特尔也在美国政府的扶持下采购了多台ASML制造的第二代高数值孔径EUV光刻机，实现了18A工艺（1.8nm）芯片的量产，正在推进14A工艺（1.4nm）的研发进度。

尽管中国半导体产业的投资规模庞大、涉及产业链广泛、参与企业众多，但是想用本土产业链去追赶国外巨头的技术联盟，需要做好打产业“持久战”的准备。

市场格局

如今各大晶圆厂正在先进节点展开技术火拼，台积电和三星在2nm节点竞争激烈，英特尔依靠最尖端的EUV光刻机率先实现了18A芯片的量产，而日本也联合软银、索尼、丰田在内的8家日本巨头合资成立了Rapidus，试图重振日本半导体制造业的辉煌。

这些国际晶圆厂巨头均可以获得全球顶级的技术资源，并且台积电已经在美国和日本等地建厂，美日两国在半导体产业上的技术储备殷实，在早年间形成了双寡头的竞争局面。

随后美国动用制裁条例和关税政策，压制了日本半导体产品在美国以及全球市场的扩张，同时还扶持韩国三星入场，对日本半导体产业进行制衡。从此开始，全球半导体的格局就变成了美日韩三国竞争，一直到台积电创办，半导体产业才进入到了高度全球化的制造体系。

如今ai技术大爆发，英伟达掌控了全球超90%的算力芯片供应。但英伟达只负责设计芯片，从未涉足过制造业和设备产业，所有的芯片均由中国台湾的台积电制造。而台积电所持有的制造设备则是来自于全球供应商，也包括中国大陆地区的材料设备。

从产业规模来看，中国大陆地区是整个半导体产业最完善的地区，不但有材料和设备企业，而且还有大型晶圆厂和许多领先的芯片设计公司。并且大陆地区本身就是一个庞大的内需市场，可以满足国产芯片的商业化发展，这是中国自主芯片产业所具备的后发优势。