全球首座！12英寸GaN晶圆厂落子

10月27日，英飞凌宣布将在欧洲打造全球首个基于300毫米（12英寸）晶圆的新一代氮化镓（GaN）功率半导体大规模生产基地。项目选址奥地利菲拉赫工厂，计划到2034年累计投入约11亿欧元（约合81.73亿元人民币，汇率仅供参考），改造升级厂区现有洁净室设施，新产线规划于2027年底投产。

欧盟委员会已批准为该项目提供3.19亿欧元国家补助，补助依据《欧洲芯片法案》框架发放，奥地利经济主管部门后续将完成资金落地流程。菲拉赫基地本身是英飞凌功率半导体研发制造核心据点，现有4800名在岗员工，此前已经具备200毫米氮化镓产线能力，本次项目是在现有产线基础上升级扩容，转向更大尺寸晶圆工艺。

300毫米晶圆的芯片产出数量约为200毫米晶圆的2.3倍，更大尺寸晶圆能够摊薄单片制造成本，提升氮化镓器件的量产经济性。

这批氮化镓功率器件主要面向AI数据中心供电、新能源汽车、工业自动化、机器人等场景。氮化镓功率器件具备更高开关频率、更低导通损耗，适合高功率密度的电源转换系统，匹配AI服务器高压供电架构的需求。

值得关注的是，就在10月21日，在英伟达柏林GTC开发者大会期间，英飞凌官宣深化与英伟达的合作，双方联合开发基于氮化镓的高压中间总线转换器（IBC），适配800V直流AI数据中心供电架构，服务英伟达MGX开放式模块化AI工厂参考架构。

NVIDIA 800V HVDC△图源：英伟达

该合作是双方2025年5月启动800V直流供电项目的延伸，此前合作聚焦机架热插拔保护方案，本次进一步锁定氮化镓路线，覆盖800V转50V、800V转12V等多种转换规格，面向单机架最高1兆瓦功耗的算力机架，方案计划自2027年起逐步落地部署。

从行业层面来看，AI服务器单机功耗持续走高，机架功率密度不断抬升，英伟达推动的800V高压直流供电架构逐步成为新一代AI数据中心的主流方案，氮化镓凭借高开关频率、低导通损耗、高功率密度的特性，成为机架电源转换环节的核心器件，氮化镓的需求重心也从早年消费快充赛道，向AI算力、车载OBC、光伏储能等高价值场景转移，市场增量持续打开。

当前全球氮化镓功率器件量产产线大多以200毫米晶圆为主，单片产出有限，外延、良率成本偏高，限制了氮化镓在大功率算力场景的规模化普及。300毫米路线不仅单片产出更高，还能够复用成熟硅基300毫米洁净厂房与配套设备体系，降低新增资本投入，是行业内公认的氮化镓规模化降本路径。

此外，英飞凌同时并行碳化硅、氮化镓两条宽禁带路线。10月15日，英飞凌官宣和Wolfspeed签署200毫米碳化硅晶圆长期供货协议，保障自身碳化硅器件向200毫米产线切换的原料供给，产品覆盖新能源车、光伏、AI数据中心供电链路。

建厂扩产方面，英飞凌7月正式启用德国德累斯顿Smart Power Fab，该项目总投资50亿欧元，是英飞凌史上单笔最大投资，生产功率半导体与模拟芯片，供给AI算力、电网、自动驾驶场景；马来西亚居林则是英飞凌全球碳化硅核心基地，一期投资20亿欧元，面向车规碳化硅器件量产；10月1日，英飞凌泰国全新后道制造基地正式投产，完善全球封装测试配套，分散供应链风险。