复旦教授曾评价国产光刻机：不避讳的说，跟国外有近20年的差距

光刻机，被誉为**＂半导体工业皇冠上的明珠＂，也是卡住中国芯片产业脖子最紧的那只手。这些年围绕光刻机的新闻层出不穷，有人兴奋，有人焦虑，也有人冷静地泼一盆冷水。

说到底，光刻机这个东西到底有多难？打个比方吧，相当于两架大飞机从起飞到降落始终齐头并进，一架飞机上伸出一把刀，在另一架飞机的米粒上刻字，还不能出差错。这就是光刻机对精度的极致要求。

在这个领域，中国确实起步晚、底子薄，但也正因如此，每一步往前迈的脚印，都显得格外沉重，也格外珍贵。

复旦大学沈逸教授曾在访谈中直言不讳地谈到国产光刻机跟国外的差距，这番话引发了不少讨论。有人觉得太悲观，有人觉得说了实话，那么真实情况究竟如何？笔者试着把这件事掰开了揉碎了，好好聊一聊。

沈逸，复旦大学国际关系与公共事务学院国际政治系教授、博士生导师，长期关注中美科技博弈议题。他在访谈中评价国产光刻机时说得很坦率:＂大体上差不多是浸润式的前一代，是干式技术。

你要是去跟ASML去比，毫无疑问，差不多就是人家10年、20年前的设备水平。＂这话乍一听扎心，但仔细品味，沈逸教授其实话里有话。他紧接着就强调了一个关键点:这台设备是中国用非美工艺和产业生态自主搞出来的，能做到这一步，本身就很了不起。

这个＂非美供应链＂四个字，分量比很多人想象的要重得多。光刻机是芯片制造前道工艺的核心设备，技术要求极高，全球市场长期被荷兰ASML一家独大所垄断。但说句公道话，ASML的光刻机也并不是荷兰人独自搞出来的。

一台ASML光刻机设备大约有90%的零部件来自荷兰之外的国家和地区，光源来自于美国Cymer，光学模组来自德国蔡司。换句话说，ASML的光刻机是整个西方工业体系协同合作的产物。

而中国推出的这台干式氟化氩光刻机，走的是一条完全不同的路——绕开美国技术封锁，建立自主可控的供应链体系。这意味着什么？意味着美国想通过＂长臂管辖＂来制裁，根本就卡不住。

有人可能会问:干式光刻机能做什么？

这台设备分辨率小于等于65nm，套刻精度小于等于8nm，可以用于55nm到65nm成熟制程芯片的制造，通过多重曝光技术，在极限情况下甚至能够挑战40nm制程。说到这里，肯定有人要嘀咕:55nm、65nm？现在手机芯片都奔着3nm去了，这也太落后了吧？这话没说到点子上。

芯片的世界不是只有手机处理器这一个赛道。全球芯片市场中，75%以上为成熟制程芯片，汽车电子90%、工业控制95%的芯片需求集中在28nm及以上制程。

也就是说，成熟制程芯片才是这个世界运转的＂底盘＂，从新能源汽车到智能家电，从工业控制到航天国防，到处都离不开它。而在军事领域，情况就更明了了。军用雷达、导弹制导、卫星通信等国防装备，用的芯片大多是65nm、90nm这些成熟工艺，根本不需要极端的先进制程。国产干式光刻机覆盖这个区间，在战略意义上堪称＂及时雨＂。

沈逸教授的话还有更深一层含义。

他在访谈中特别指出，中国推出这台国产光刻机，与其说是给美国看的，不如说更像是给荷兰政府和ASML看的。这话什么意思？

笔者来解读一下:中国现在已经可以大规模推广干式光刻机了，那么正在实验室里研发的那些更先进的设备是什么水平？等到实验室里的成果走出来，未来三到五年的光刻机市场会变成什么样？

这笔账，需要荷兰政府和ASML自己好好算算。

事实上，从最新的产业动态来看，中国光刻机的进步速度远超外界预期。

上海微电子于2025年宣布成功交付首台28nm浸没式光刻机，标志着中国在高端芯片制造装备领域实现历史性突破。这可是从干式到浸润式的重大跨越，意味着中国光刻机产业已经迈上了一个新台阶。

上海微电子已实现90nm DUV光刻机的100%国产化并稳定量产，28nm浸没式光刻机SSA800已进入中芯国际、华虹半导体产线验证。

单次曝光可实现28nm，通过多重曝光技术可支持14nm甚至更精细的制程，打破了国外在中高端DUV光刻机领域的垄断。

在核心零部件领域，国产突破同样令人振奋。北京国望光学是国内唯一实现28nm物镜国产化的企业；科益虹源是国内唯一量产193nm ArF准分子激光器的企业；华卓精科作为全球第二家掌握双工件台技术的企业，独家供应上海微电子前道光刻机的双工件台。

这种＂整机加子系统＂协同攻关的模式，正在逐步补齐中国光刻机产业链的每一块短板。

更值得关注的是EUV（极紫外光刻机）方向的探索。

中国于2025年初完成首台EUV光刻机原型机组装，成功输出极紫外光源，并进入测试环节。

虽然距离商业化量产还有很长的路要走，但这标志着中国在最尖端光刻技术领域迈出了实质性的一步。

在更前沿的EUV极紫外光源领域，中国走了一条跟ASML完全不同的路——激光诱导放电等离子体技术，也就是LDP路线。这条路的优势在于设计更简洁、结构更紧凑、能耗也低不少。

说到中美之间围绕芯片光刻机的战略博弈，这些年可谓是波谲云诡。美国不断加码对华半导体技术出口管制，从禁止EUV光刻机出口，到逼迫荷兰收紧DUV光刻机的出口审批，招招都冲着＂扼杀中国半导体产业＂这个目标去。

就在2026年4月，美国国会又提出了MATCH法案，核心目标是进一步限制荷兰和日本的先进半导体设备对华出口，明确将浸润式DUV光刻设备及相关维保服务纳入出口管制清单。这股打压的力度，可以说是在层层加码。

然而，历史一再证明，封锁和打压从来不能真正遏制一个大国的技术进步，反而往往会激发出更强的自主创新动力。

中国半导体设备的国产化比例，2021年只有21%，到2023年涨到了35%，2024年直接突破40%，一年就往上蹿了近8个百分点。

这个提速幅度，搁在任何一个高科技领域里都够猛的。当年日本对韩国搞半导体材料出口限制，结果让中国的部分半导体材料企业抓住了窗口期，吃到了市场红利。如今同样的逻辑正在光刻机领域上演——封锁越狠，国产替代的决心就越坚定。

从ASML最新的财务数据来看，封锁的代价正在显现。2026年第一季度，ASML实现净销售额88亿欧元，净利润达28亿欧元。业绩看着不错，但中国区系统销售额占比从上个季度的36%掉到了19%，财报发布当天股价直接跌了6%。

中国市场份额的持续缩水，对ASML来说是实打实的利润流失。2025年中国大陆市场贡献了ASML全球销售额的33%，而ASML预计2026年中国市场的营收占比将回落至20%。曾经的第一大客户正在渐行渐远，这笔账，ASML不可能不心疼。

这就是博弈的核心——时间站在谁那边？ 中国正在用＂举国体制加市场驱动＂双轮驱动的模式，全力推进光刻机的国产替代。

2024年启动的国家大基金三期规模达到3440亿元人民币，重心就放在设备和材料上。科技部、工信部将＂高端光刻机与核心零部件＂列入＂十四五＂国家重大科技专项重点攻关方向。地方政府同步发力，上海、北京、深圳、合肥等地纷纷设立半导体产业基金，形成了强大的政策合力。

从产业规划来看，路线图已经十分清晰。上海微电子计划2025年底前建成5条量产线，年产能达50台28nm DUV光刻机，2026年目标市占率提升至25%。短期来看，2026至2027年，上海微电子28nm浸没式DUV光刻机产能有望进一步爬升，国产90nm、110nm DUV光刻机市场份额将大幅提高，逐步摆脱成熟制程光刻机的进口依赖。

当然，笔者也必须实事求是地说，差距是客观存在的，盲目乐观要不得。中国EUV光刻机仅完成原型机验证，光源功率与ASML存在代际差距，行业普遍预测中国EUV光刻机实现商业化量产仍需5至10年。

在套刻精度上，ASML已达0.5nm，而上海微电子为8nm，技术代差约10年以上。物镜精度、光源功率、产能效率这些关键指标上，与ASML的差距还很大。

但差距不等于绝望，落后不等于没有希望。上海微电子未来3年需投入超200亿元资金用于光源系统、精密光学等核心部件研发及产线建设。

通过与华为、中芯国际、华虹半导体等建立创新联合体，与福晶科技、茂莱光学等供应商深度绑定，形成了＂设备加工艺加材料＂的协同创新生态。

中国光刻机产业的发展路径已经很明确——先把干式技术吃透做扎实，然后向浸润式技术迈进，最终攻克极紫外线的整套技术体系。短期完成28nm设备百万片级量产验证，中期实现14nm设备量产并突破EUV光源小型化技术，长期攻关High-NA EUV光刻机，形成全制程覆盖能力。

在产业链层面，不光是光刻机一个点在突破，上下游都在加速跑。长江存储的产线上，国产设备占比从2019年的18%升到了2024年的43%，调试周期也缩短了37%。

北方华创、中微公司、盛美上海这些名字，出现在越来越多头部晶圆厂的供应商名单里。上海精测研发的光刻机缺陷检测设备，精度达0.1nm，实现了在线检测国产化。这不是哪一家企业的单打独斗，而是一整条产业链在集体发力。

沈逸教授那番＂差距近20年＂的评价，其实恰恰体现了一种清醒而务实的态度。承认差距不丢人，关键是要看清方向、脚踏实地。

中国有句老话叫＂知耻而后勇＂，认清自己在哪里，才能更有力地迈出下一步。中国光刻机的发展呈现＂成熟制程自主化、先进制程追赶化、前沿技术探索化＂的特点，这是一条符合客观规律的务实路线。

从更宏观的视角来看，中国光刻机的突围之路，也是整个中国高科技产业自主创新的缩影。没有哪项核心技术是能够讨来的、买来的，唯有自力更生、艰苦奋斗，才能真正把命运掌握在自己手中。

光刻机的国产化之路没有捷径，但中国庞大的市场需求、完整的工业体系和集中力量办大事的制度优势，终将在这场攻坚战中发挥决定性作用。

笔者相信，只要保持战略定力，不急躁、不浮夸、不气馁，一步一个脚印地往前走，属于中国光刻机的那束光，终会照亮前路。毕竟，这个民族从来就不缺面对困难的勇气，缺的只是时间。