就在周五晚,美股方面,存储芯片股领涨,闪迪涨超16%,美光科技涨超15%,再次刷新历史新高。
时间拉长来看,从4月份以来,闪迪、美光科技涨幅均超过100%。
时间再拉长来看,从今年以来,闪迪年度涨幅超550%、美光科技涨幅均超过160%。

消息面上,根据路透社报道,全球科技巨头正向韩国存储大厂SK海力士,提出为其新建生产设施并出资为其采购昂贵生产设备,其目标只是为抢先锁定存储芯片货源。
这一现象在全球存储芯片,甚至芯片行业也是相当少见,或凸显出当前全球高端存储芯片供需失衡、结构性短缺的程度。
当前全球存储芯片市场正面临近十五年来最严峻的供需缺口。
从产业链调研数据来看,闪迪、三星、SK海力士等巨头2026年的先进产能已全部售罄,行业普遍实行“先款排产”模式,客户需预付货款锁定产能。
供给端:
存储芯片工厂从建设到量产需18-24个月,短期内新增产能有限。
同时,国际大厂为追求更高利润,将大部分先进产能转向HBM(高带宽内存)和高端DDR5产品,导致消费级存储供给被大幅挤压。
全球存储芯片库存已降至历史冰点,仅能支撑约4周的出货量,远低于8-10周的安全水位(产业调研数据)。
需求端:
AI服务器对存储的需求呈指数级增长。
单台AI服务器的DRAM用量是传统服务器的8-10倍,NAND用量为3倍。
随着AI大模型从训练走向大规模推理应用,数据中心对HBM、大容量DDR5及企业级SSD的需求持续井喷。
TrendForce数据显示,2026年AI与服务器应用将消耗全球66%的DRAM产能,到2027年这一比例将突破70%。

价格端:
供需失衡直接推动价格暴涨。
2026年第一季度,DRAM合约价环比上涨90%-95%,NAND闪存上涨55%-60%,HBM价格更是升超过200%。
部分市场机构预测,价格上涨趋势将贯穿2026全年,并可能延续至2027年。
过去,存储芯片是典型的周期性行业,价格随消费电子(如手机、PC)的销量波动而涨跌。
但本轮上涨的核心驱动力是AI算力,这或改写了行业逻辑。
需求结构或永久改变:
目前,AI通过长期协议(LTA)锁定了大量高端产能,使存储公司的盈利能见度和稳定性大幅提升,行业有望逐步弱化强周期属性,向价格稳定性提升的方向演进,但长期仍需警惕供需边际变化带来的波动。
技术支撑升级:
AI从训练转向推理阶段,带动CPU价值重估。
AI服务器中CPU与GPU配比从1:8收紧至1:1,进一步拉动了对存储芯片的需求。

国产化加速:
供给紧张,为国产存储产业链带来了重要的发展窗口。
从公开数据来看,长鑫存储 DDR5 良率已达 85%(接近国际一线水平),长江存储 NAND 产能全球占比突破 10%(进入全球第一梯队),但在高端 HBM、先进制程等领域仍与国际巨头存在差距。
存储芯片的“周期”或贯穿上游设备材料、中游设计制造封测、下游模组应用的机遇:
1、上游设备与材料
存储大厂为抢占AI市场加速扩产,带动上游设备与材料需求增加。
长江存储、长鑫存储等国内厂商扩产提速,国产设备渗透率持续提升,刻蚀设备、硅片、前驱体等核心材料供应商订单饱满。
2、中游芯片设计和封测
芯片设计环节技术门槛高、利润空间大,国产企业在细分领域实现突破。
HBM作为AI存储的核心,其生产依赖先进封测技术,国内封测企业在HBM堆叠工艺上实现突破,16层堆叠良品率全球领先,绑定国际头部存储厂商,产能利用率持续提升。
3、下游存储模组
模组企业通过采购存储晶圆加工成固态硬盘、内存条等产品,有望通过深度绑定国内云厂商与AI服务器客户,实现业绩增长。

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更新时间:2026-05-11
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