全球光刻机霸主ASML，正在把目光从“画电路”投向“粘芯片”。

一份最新行业研究报告披露，这家荷兰半导体设备巨头正在进军混合键合技术。这是一种让芯片与芯片、晶圆与晶圆直接“贴合”，并形成高密度电连接的先进工艺。

与此同时，中国多家重量级芯片企业也在加速导入这项技术。一场围绕先进封装的新竞赛，正悄然拉开帷幕。

对于习惯了光刻机一家独大的半导体行业来说，这无疑是一个耐人寻味的信号。ASML的每一次转身，往往都意味着产业链格局的重新洗牌。

27个专利家族透露的野心

半导体与AI供应链研究机构SemiAnalysis的报告显示，ASML在2022年12月至2024年11月间，提交了27个与混合键合设备相关的专利家族。

报告还提醒，由于近期专利公开存在延迟，真实数量可能更多。

专利是企业战略最诚实的“日记本”。这些申请表明，ASML正试图走出其一家独大的光刻市场，迈向芯片制造的后道工序。

报告认为，ASML很可能先从“芯片对晶圆”键合设备切入，其核心优势在于对准精度和颗粒污染控制，而这两项恰恰决定了键合良率。

从专利描述看，每颗芯片从离开载具起，就固定在专属托架上，一直到完成键合为止。这种设计旨在最大限度减少搬运中的污染与偏移。

今年早些时候，业内已传出ASML联合荷兰本土企业Prodrive Technologies与VDL ETG，着手设计混合键合机整体架构的消息。

这两家公司都是ASML的老搭档，长期为其EUV光刻机的磁悬浮晶圆台提供电机、驱动器和精密机械结构。

把光刻机上练就的“纳米级稳手”移植到键合机上，正是ASML最大的底牌。

事实上，这次“跨界”早有伏笔。ASML此前已推出面向先进封装的光刻设备，其技术路线图中也早已列入晶圆对晶圆和芯片对晶圆的混合键合。

为什么混合键合成了香饽饽

传统封装要靠微小的金属凸点把芯片“焊”在一起，就像用一颗颗小铆钉连接两块板。

混合键合则彻底甩掉凸点，让上下两层芯片的铜表面直接结合。连接点因此可以排得更密，电阻更低，信号跑得更快也更省电。

这种“无缝”连接，对表面平整度和洁净度的要求近乎苛刻。键合时的对准误差需要控制在纳米级，这恰恰是ASML最擅长的领域。

在人工智能热潮下，高带宽内存和高性能计算芯片对“堆叠”的需求暴涨。当晶体管越来越难以继续缩小，把芯片“叠起来”就成了提升性能的新捷径。

业内甚至将混合键合称为EUV之后最具变革性的制造创新。

在这一赛道上，主要玩家包括贝思半导体、应用材料以及奥地利EV集团等。应用材料还曾与贝思半导体联手开发芯片对晶圆混合键合系统，竞争早已暗流涌动。

目前，晶圆对晶圆的混合键合已在图像传感器和3D NAND闪存中量产，DRAM被普遍视为下一个主战场。

市场的热度从订单上一目了然。荷兰封装设备商贝思半导体此前披露，其积压订单同比增长逾一倍，主要就是受混合键合需求拉动。

中国玩家已在牌桌上

值得关注的是，混合键合并非西方企业的独角戏。

业内分析显示，包括华为、长鑫存储在内的中国企业正在积极采用这项技术，以提升芯片性能。

对内存厂商而言，混合键合是制造高带宽内存的关键工艺之一。随着堆叠层数不断增加，传统微凸点方案正逼近物理极限。

在设备端，国内厂商拓荆科技也已布局混合键合相关设备，试图在这一新赛道占据一席之地。

从存储到逻辑，从设备到材料，中国正在混合键合产业链上全面铺开。国内外券商也纷纷发布研究，梳理这一赛道的投资机会。

对中国而言，这条路线有着特殊意义。在先进光刻设备受到出口管制的背景下，通过先进封装“堆叠”换取性能，是绕开制程瓶颈的现实选择之一。

不过，ASML的入局也意味着竞争门槛将被大幅抬高。

凭借在精密运动控制领域几十年的积累，ASML一旦推出成熟产品，可能重塑整个后道设备格局。

ASML首席执行官傅恪礼此前曾表示，公司已在探索包括混合键合在内的三维集成机会，但对营收的显著贡献预计要到2030年以后。

换句话说，这是一盘慢棋，却可能决定下一个十年的芯片版图。

当光刻机巨头开始“学粘合”，芯片竞争的焦点，也正从如何把线条刻得更细，转向如何把芯片叠得更紧。