2024年9月,中科大前副院长朱士尧一句“美国造不出,中国永远都不可能”,把光刻机话题炸上热搜。
有人骂他长他人志气灭自己威风,有人说他戳破幻想。
这话听着扎心,却是半导体产业最残酷的真相。

朱士尧不是普通路人,他是中科大前副院长,早年毕业于中科大原子核物理专业,专攻等离子体物理,还曾在华为担任党委副书记,深耕科技领域数十年,算是行业内的老前辈。

2024年9月,他在一次访谈中,直白抛出“美国造不出,中国永远都不可能”这句话,核心指向的是全球最顶尖的光刻机。
这话一出,瞬间引爆舆论,网上骂声一片,不少人觉得,他这是长他人志气,灭自己威风,否定中国科研团队的努力,甚至被扣上“不爱国”的帽子。

也有一部分人保持理性,认为朱士尧不是唱衰中国,而是太懂半导体产业的规律,他说的不是泄气话,是实打实的现实——光刻机不是靠喊口号就能造出来的,背后是整个全球工业体系的支撑,盲目乐观只会误事。

这场争论从微博、抖音蔓延到知乎、论坛,阅读量轻松破百万,有人列数据反驳,有人分析他的职业经历,有人吐槽他保守,有人认同他的理性,吵来吵去,本质上是大家对“中国能不能造出顶尖光刻机”这个问题,有着截然不同的期待和认知。
要搞懂这场风波,首先得明确一个核心:朱士尧说的“造不出”,不是指中国造不出任何光刻机,而是指单个国家,不管是美国还是中国,都造不出全球最顶尖的光刻机。
这不是否定中国的技术能力,而是尊重产业发展的客观规律。

很多人骂朱士尧,核心是觉得他抬高美国、贬低中国,但事实上,他说“美国造不出”,不是否定美国的科技实力,而是陈述一个被产业现实验证的事实。

当前全球半导体领域,最顶尖的光刻机是EUV极紫外光刻机,目前全球只有荷兰ASML一家能大规模生产。
这台机器重达180多吨,包含十多万个零件,涉及光学、真空、材料科学等多个顶尖学科,根本不是单个国家能独自搞定的。

美国作为科技强国,能造出光刻机的部分核心零件,比如激光光源的部分组件、控制系统等,但它也有自己的短板。
它造不出德国蔡司那样的纳米级精密镜头,这种镜头制造精度达到纳米级,需要上千道工序,目前全球只有蔡司能实现量产;它也搞不定日本垄断的全部核心材料,在19种核心半导体材料中,日本有14种占据全球第一的市场份额,就连美国厂商采购,都得提前半年排队。

数据显示,美国2025年押注1.5亿美元攻关的自由电子激光技术,仍处于研发阶段,计划2027年才安装首台商用系统,距离成熟应用还有很长距离。
说白了,美国也无法独自构建起完整的顶尖光刻机产业链,更造不出一整台顶尖光刻机。

朱士尧的核心观点很明确:顶尖光刻机的研发,从来不是单个国家的“独角戏”,而是全球工业技术的“协同作战”。美国做不到独善其身,中国自然也无法凭空突破。
攻坚不靠口号,靠实打实的技术积累;突破不靠幻想,靠对产业规律的敬畏。
这句话看似扎心,却是朱士尧多年深耕科技领域的肺腑之言,他不是泼冷水,是想让大家跳出非黑即白的对立思维,正视全球产业链的现实。

很多人觉得,中国能造原子弹、高铁、航天飞船,造一台光刻机应该不难,但实际上,光刻机的技术壁垒,比我们想象的更高,堪称全球工业领域的“终极堡垒”。

顶尖光刻机的研发,走的是“全球协同”路线,ASML的EUV光刻机,核心部件来自全球多个国家的顶尖企业,它的核心竞争力,不是自己造出所有零件,而是能把这些全球最顶尖的部件,高效整合、协同工作,这相当于掌握了整个产业链的“指挥权”。
中国要造顶尖光刻机,面临的不是单点技术的“攻坚战”,而是整个产业链的“合围战”。
目前,我们在多个核心环节都面临“卡脖子”困境,这不是我们不够努力,而是起步晚、壁垒高,且面临着美国牵头的技术封锁。

从技术层面来说,顶尖光刻机需要四大核心系统,每一个都是硬骨头。
光源系统,EUV需要13.5nm波长的激光等离子体光源,目前国产光源仅能达到193nm DUV水平;光学系统,EUV物镜面形精度需控制在原子级,国内产品精度仍有差距;精密运动系统,ASML双工件台定位精度达5nm,速度1.5m/s,我们的产品仍需提升;控制系统,套刻精度差距更是达到10年以上。

更关键的是,半导体产业的竞争,早已不是单个企业、单个国家的较量,而是产业链与产业链的对抗。
美国牵头织起技术封锁线,限制核心部件、核心技术对中国的出口,就是想切断我们的产业链补给,让我们的攻坚陷入“孤军奋战”的困境。
正视差距不是认输,盲目乐观才是致命陷阱,朱士尧的话,就是要让大家看清这个现实:光刻机研发没有捷径,每一步都要踩实,每一个环节都不能掉链子。

有人觉得,朱士尧说“中国永远都不可能”,是在否定中国的努力。但事实上,中国从来没有停止过光刻机领域的探索,我们一直在打一场“持久战”,而且已经在中低端领域取得了显著突破。

目前,上海微电子装备有限公司研发的SSA800系列28纳米浸没式DUV光刻机,已经正式进入量产阶段,实现了28纳米直接曝光与7纳米多重曝光的商业化应用能力。
这台国产光刻机的核心零部件国产化率超85%,其中华卓精科的双工件台、奥普光电的投影物镜等关键部件,实现了自主供应,大幅降低了外部技术依赖风险。
依托这台设备,中芯国际等企业的28纳米产线良率显著提升,月产能增幅达33%,有效支撑了工业控制、车载电子等领域的芯片需求。

与此同时,国产光刻机的突破,也带动了整个半导体产业链的协同升级。
在材料领域,北京大学团队推动国产ArF光刻胶良率提升至92%以上,八亿时空建成百吨级KrF光刻胶树脂量产线,打破了日本企业的垄断;在设备领域,中微公司的5纳米级刻蚀机已通过台积电相关验证,与国产光刻机形成协同效应。

截至2025年上半年,中国半导体设备进口额同比下降28%,国产设备市场份额突破40%,国产替代成效显著。
当然,我们也必须正视差距,目前国产DUV光刻机的套刻精度,与国际顶尖水平仍有差距,产能仅为ASML同类产品的50%-60%,7纳米等效制程良率也有待提升。

而在EUV光刻机领域,国内的研发仍处于攻坚阶段,上海光机所研发的LPP-EUV光源转换效率虽已达3.42%,但距离商用标准仍有差距,计划2030年前实现5纳米制程突破。
中国的攻坚,从来不是“急功近利的闪电战”,而是“步步为营的阵地战”。我们不否认差距,但也不放弃努力,每一个小小的突破,都是在为最终的胜利铺路。封锁越严,我们的攻坚越猛;差距越大,我们的决心越足。

朱士尧的言论,之所以引发这么大的争议,本质上是舆论场陷入了非黑即白的误区:要么盲目乐观,觉得国产光刻机可以快速实现全面突破;要么极度悲观,将技术封锁等同于彻底无解。

其实,朱士尧的话,核心是想传递一种理性:科技突破从来不是一蹴而就的,尤其是光刻机这种集全球工业之大成的产品,更需要尊重规律、脚踏实地。
他不是让中国放弃攻坚,而是希望大家不要被虚假的乐观裹挟,给予技术研发足够的时间和耐心。

近年来,全球半导体供应链经历了剧烈波动,美国不断加码对华半导体出口管制,试图遏制中国半导体产业的发展。
商务部多次明确表态,坚决反对美对华半导体产品加征关税等错误做法,认为美方的单边措施破坏国际经贸秩序,扰乱全球产业链供应链,损人不利己,中方也会坚决采取必要措施,维护自身权益。

中国半导体产业的发展,从来不是闭门造车,我们在自主攻坚的同时,也保持着开放合作的心态,毕竟,顶尖光刻机的研发离不开全球协同。
但我们也清楚,核心技术买不来、求不来,只能靠自己攻关。

2025年,A股173家半导体行业公司中,115家实现盈利,营收和净利润均实现同比增长,境外业务收入也大幅提升,这背后,是无数科研工作者的默默付出,是整个产业链的协同发力。
朱士尧的“永远不可能”,听着绝对,但本质上是对产业规律的敬畏。他不是否定中国的潜力,而是提醒大家,科技攻坚没有捷径,唯有正视差距、脚踏实地,才能在这场持久战中最终掌握主动权。

中国从来不怕困难,从原子弹到高铁,从航天飞船到国产芯片,我们一次次突破封锁、实现逆袭。光刻机这场攻坚战,我们或许会走得很慢,但每一步都很坚定。
差距存在,但希望也在,不盲目乐观,不妄自菲薄,正视现实、稳步前行,这才是我们面对光刻机难题,最该有的态度。毕竟,科技竞争拼的不是口号,是耐心、是坚持,是一代又一代人的接续奋斗。
更新时间:2026-04-15
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