阿斯麦CEO：中国开发光刻机很努力，但想追上我们有很长的路要走

在半导体领域，技术自主已成为国家发展的核心议题。荷兰阿斯麦公司作为全球光刻机主导者，其首席执行官傅恪礼的表态引发广泛讨论。

他承认中国在研发本土光刻设备上投入巨大精力，同时指出追赶国际领先水平仍需较长时间。这种观点反映出当前全球供应链的复杂性，也凸显中国坚持自力更生的战略意义。

傅恪礼的评论源于2024年底的一次媒体访谈，当时他强调，由于出口管制，中国无法获取极紫外光刻系统，这导致在先进节点芯片制造上与西方存在差距。他估计，中国需要10到15年才能在这一技术上实现实质性接近。

阿斯麦的极紫外机型依赖多国协作开发的精密组件，如高功率激光源和多层反射镜，这些要素积累了20年以上经验。中国企业虽从深紫外基础起步，但通过优化多重图案化，已在7纳米级工艺上取得成果，这与阿斯麦直接单次曝光的效率不同，却展示了本土工程师的创新适应性。

从技术细节看，阿斯麦的优势在于生态完整，其机型支持2纳米以下工艺，镜组精度达0.1纳米。

中国本土方案则聚焦于提升深紫外设备的浸没液折射率和掩膜对准精度，例如上海微电子装备公司在2025年推出的28纳米扫描仪，通过升级振动隔离系统，减少干扰达10%，这比早期原型更注重批量应用。

这种进步源于国家层面的资源倾斜，涉及数百人团队协作，逐步从实验室验证转向工厂测试。

傅恪礼提到，中国在成熟芯片产能上将占据全球三分之一份额，到2025年底每月产量预计达1010万片晶圆。这得益于本土设备的迭代，如电子束光刻机精度从1纳米提升到0.6纳米，适用于原型开发。

杭州西智公司在2025年推出的多束并行曝光系统，提高吞吐量30%，这与阿斯麦单光束方式形成对比，更适合中国的小批量定制需求。相比2019年的进口依赖，本土化率已从20%升至50%以上，标志着供应链的稳固构建。

中国选择激光诱导放电等离子作为光源备选，与阿斯麦的激光产生等离子不同，能耗更低但需优化输出功率。2025年上半年，相关专利申请增加，聚焦电极材料耐久性，通过掺杂稀土元素，提升寿命20%。

这种更新不同于阿斯麦的渐进升级，中国强调并行研发，多机构协作，如清华大学在2025年7月公布的镜组反射率突破68%，接近国际标准。现在融入人工智能辅助设计，模拟光路轨迹，将迭代周期从月级缩短到周级。

傅恪礼的评价还涉及全球竞争格局。他认为出口管制虽影响阿斯麦营收，但中国突破后将释放成本优势，类似于5G领域的领跑。中国在2025年投资扩展，覆盖从光源到镜组的全链条，工程师通过模拟平台加速设计，周期缩短30%。对比阿斯麦的积累，中国压缩时间靠资源集中，进步体现在从依赖到自主的转变。

在热管理方面，阿斯麦机型需高真空环境防光吸收，中国方案优化真空泵组，抽气效率提升15%。使用本土合金涂层，耐腐蚀性强。这种细节推进通过试点项目，2025年东莞基地验证光路对准，精度达0.2纳米，比早期改善一倍。现在强调集成测试，融入芯片制造流程。

傅恪礼指出，中国可能复制深紫外机型，但本土创新更注重原创路径，如纳米压印与光学结合。2025年8月首台本土纳米压印工具出货，分辨率达10纳米，模板复用率提升，减少更换频率。从概念验证到工厂测试，标志从理论到应用的跨越。

对比中，阿斯麦的系统与下游软件无缝集成，中国需同步开发检验仪和清洗模块。2025年，上海微电子装备的28纳米扫描仪升级光源稳定性，波长抖动控制在0.01纳米内，比早期精确两倍。研发模式不同，阿斯麦靠国际联盟，中国通过国家基金驱动，攻克瓶颈，光阻材料国产化率达70%。

傅恪礼认为，极紫外开发复杂，中国当前更像研究原型。2025年3月，华为测试本土系统，功率达阿斯麦50%。分阶段目标，先实现深紫外到极紫外的过渡，2025年第二季度进入电路试制。与SMIC合作，7纳米良率从2024年60%升至80%。生产线从单机扩展到多机联动。

中国探索粒子束光刻，2025年专利显示离子束系统分辨率达5纳米，适用于研发。融入混合技术，结合X射线辅助，提高灵活性。更新通过迭代原型，2025年上半年首款混合光刻机验证，比纯光学更注重多模态兼容。

傅恪礼的观点提醒技术追赶需耐心。中国在镜组反射率上突破，通过多层镀膜实现。与阿斯麦70%接近，但推进靠实验迭代，周期缩短。中国强调成本控制，材料本土采购。

目前，本土极紫外系统进入试产，华为和SMIC验证3纳米潜力。傅恪礼认为需多年完善，但中国努力见成效，产能扩张占全球比重增加，促进技术多样化。

傅恪礼的表态客观，中国虽面临挑战但潜力巨大。极紫外需解决热管理，中国实验添加冷却循环，散热效率升25%。与阿斯麦类似，但推进靠国家协调，多机构并行。现在规模化研发，标志进步。

2025年，首款激光诱导放电光源原型功率达200瓦，接近商用。通过优化电极形状，稳定性提升。连续输出适合长时运行。更新通过材料迭代，掺杂新元素，提高寿命。

傅恪礼的评论激发中国半导体产业的决心。面对外部限制，本土企业从深紫外优化起步，逐步向极紫外推进。上海微电子装备的浸没式扫描仪，避免受限知识产权，推出28纳米型号，标志自主路径的成型。

傅恪礼的视角虽从企业利益出发，但承认中国努力。这激励本土创新，从材料到系统的全链条覆盖。未来，中国半导体将以自主为核心，贡献全球科技进步。