国产“芯”技术曝光，台积电、ASML没料到，外媒：这才是科技创新

中国芯片领域最近几年动作频频，特别是在绕过国外设备限制上，搞出了一些让人眼前一亮的成果。拿复旦大学团队来说，他们从2022年底开始，就在国际期刊上扔出一枚重磅炸弹。那篇论文是关于硅和二硫化钼结合的异质互补场效应晶体管，简单说，就是把传统硅基晶体管和二维材料叠在一起，形成一种新结构，能在不换设备的情况下把芯片密度翻倍。

这东西一出来，全球半导体圈子都炸锅了，因为它直接挑战了依赖极紫外光刻机的传统路径。台积电那边正忙着用ASML的设备冲3纳米节点，结果中国这边用材料创新就给绕过去了。外媒像TechCrunch和EE Times报道时，直呼这才是真正的科技创新，不是堆钱买设备的简单活。

先说说这个技术的来龙去脉。复旦的周鹏教授团队从2018年左右就开始钻研二维材料怎么和硅基集成。起初他们试了机械剥离和化学气相沉积，但界面总出问题，漏电流太大。到了2019年，换成低温聚合物转移，温度压到150度以下，才避开热损伤。2020年搞出第一个原型，能做基本反相器，但稳定性差。

2021年加高k栅极介质如氧化铪，功耗降下来，还和国内晶圆厂验证兼容性。2022年初集成上百个晶体管阵列，论文审完后12月8日上线。测试数据挺硬核，开关比超10的7次方，亚阈值摆幅接近60mV/decade。这不光是实验室玩具，还能直接插进现有生产线。比方说，中国量产主力是14纳米FinFET，套上这个，就能出7纳米水平的性能，够国内九成芯片用。中芯国际的7纳米再加持，能逼近5纳米，基本盖住99%的需求。

全球反应来得快。2023年1月，美国半导体协会评论说，中国在二维材料上进展可能改写行业格局。日本佳能赶紧推纳米压印设备，2023年10月16日出FPA-1200NZ2C，价格只有传统光刻机的十分之一，功耗低30%，已经在铠侠的NAND闪存上用，图案化到5纳米级。美国Zyvex Labs 2022年9月28日放出电子束系统，精度亚纳米，突破1纳米极限，虽产量低，但量子计算领域有戏。

美光1-beta DRAM工艺2022年11月1日采样，不用极紫外，靠多重图案化省成本。这些都证明，绕过极紫外不是梦。中国方案在这趋势里站稳脚跟，复旦团队2023年中在国内会议秀小型逻辑电路，AND和OR门功耗比传统低15%，连续开关10的6次方次衰减不到5%。

2024年，复旦和企业建联合实验室，专注二维材料规模转移，目标2026年小批量产。2025年4月5日，他们放出“无极”处理器，32位RISC-V架构，5931个晶体管，25个逻辑单元，能处理4.2亿数据点。这是二维材料从单器件跳到系统集成。

10月8日，又在《自然》上报全球首颗二维硅基混合闪存芯片，用原子级薄层做内存核心，结合CMOS电路，读写速度破纪录，内存产率94%。这芯片几原子厚，整合二维电子器件和硅基电路，解决传统闪存密度瓶颈。团队用刘春森研究员的话说，这是从原子器件到芯片的全链条突破。外媒如ASM International和Tom＇s Hardware报道时，强调这混合架构是世界首创，帮中国减少对国外依赖。

中国整体芯片自给率也在爬坡。2025年预计达50%，虽没到2015年“中国制造2025”设的70%，但进展实打实。政府投大基金，2014年起步，2024年第三期砸470亿刀，重点本土工具。光刻领域，上海微电子（SMEE）在后端包装有优势，但前端落后。

AMIES 2025年2月成立，在深圳展会上秀光刻和包装工具，试28纳米DUV多重图案化，瞄7纳米输出。中芯测试裕良生工具，也在这一线。华为Ascend 910C芯片800 teraflops，用老DUV挤性能，靠多重曝光建小特征。云矩阵384连384个Ascend，性能超英伟达集群两倍，虽耗电多，但中国能源不成问题。软件端，用8位4位格式高效计算，DeepSeek AI模型证明可行。

绕不过的坎是极紫外。中国试逆向ASML DUV，拆机时坏了，还叫ASML修，暴露依赖。禁运下，不能进顶DUV如1970i和1980i，更别说EUV。SMEE申请EUV专利，用激光等离子源13.5nm，但商用远。投资370亿欧建本土EUV系统，华为中芯眼2025三季度试，2026推。但多分析师说，中国在光刻、沉积和刻蚀落后几年，市场份额低，尤其EUV零起步。光刻胶有突破，2025年10月Nature论文详解光阻材料，帮缺陷控制和产率。日荷美限出口，影响中国高科技自给。

ASML日子不好过。2024三季度卖75亿欧，系统销售42%来自中国，但2025指导中国业务降到20%，总收入300-350亿欧。股价波动，投资者愁。高数值EUV一台4亿刀，本想赚翻，但多国绕路，需求弱。公司2005年前份额小，财务苦，如今风险重现。台积电加码ASML合作，推高NA EUV，但成本高。中国创新让台积电3纳米市场份额压力大。

日本纳米压印成平行路。佳能设备帮存储芯片，成本低。Canon Nikon供光刻机，但限中国进。Zyvex电子束低产，但精密。美光不用EUV的工艺，行业多样化。中国混用软件硬件，建自足AI栈，不求一夜超英伟达，只求够用训模型，避禁运。

供应链脆性露底。ASML靠德国蔡司镜片、美国Cymer激光，禁运加剧不均。中国转本土，14纳米兼容新结构，2025中芯整合，7纳米升5纳米级。Reuters报，这可满足中国99%需求，少进口。半导体从设备导向材料创新转，影响大。

中国不光堆钱，还搞开放创新加自力更生，混搭走。军民融合用民用防限，减风险。出口控让中国加速，补贴帮，但瓶颈在知识转移、部件和领先厂合作。市场份额升，但关键段如光刻落后。EUV无，DUV浸没零，ArF干KrF也零。原子层沉积类似。

外媒如Bloomberg和SCMP说，中国创新重塑全球链。US House面板批ASML等卖中国军联公司，推新控。但ASML守2025展望，收入440-600亿到2030，毛利56-60%。Trump上台不确定。

中国芯片路长，但二维硅混和闪存等成果，证明材料创新能绕设备限。外媒呼这是真创新，台积电ASML得警醒。全球赛从垄断转多元，中国份额升，自给50%近。未来看谁先规模化，但中国势头猛。