技术突围！三星 HBM4 全球首量产，锚定 AI 存储市场主导权

2026 年农历新年假期后，三星电子正式启动全球首次 HBM4 大规模量产，本月第三周将向英伟达实现首批出货，这款专为 AI 芯片打造的高带宽存储器，成为三星重夺 AI 存储市场主导权的关键落子。其 11.7Gbps 的超高速数据处理能力、3TB/s 的单堆栈带宽，大幅超越行业标准，加之与英伟达 Vera Rubin AI 加速器的深度绑定，不仅重塑高端存储市场格局，更印证了 AI 算力竞赛中 “得存储者得天下” 的核心逻辑。网友热议 “三星技术狂魔杀回来了”，而行业则将此次量产视为 AI 存储产业迈入下一代的重要里程碑。

三星 HBM4 的性能突破，核心源于1c DRAM+4nm 晶圆代工的双工艺组合，这也是其比 JEDEC 8Gbps 行业标准快 37%、较上一代 HBM3E 快 22% 的关键。1c DRAM 工艺实现了存储单元密度的大幅提升，让芯片在更小体积内承载更多存储单元；4nm 晶圆代工工艺则优化了信号传输路径，减少数据传输过程中的损耗，配合升级的 TSV 硅通孔技术，让晶体管排列更紧凑，数据交互效率显著提升。在容量上，三星 HBM4 采用 12 层堆叠技术实现 36GB 基础容量，未来可通过 16 层堆叠扩展至 48GB，同时兼顾低功耗设计，能有效降低数据中心的电力和制冷成本，完美匹配大模型训练、超算中心的高算力、高容量需求。

为了承接激增的市场需求，三星已启动产能扩张计划，在平泽园区第四工厂安装新生产线，预计 2026 年整体 HBM 销量较去年增长两倍以上。作为全球唯一同时具备逻辑芯片、存储器、晶圆代工和封装能力的企业，三星将先进存储器与晶圆代工工艺的协同效应发挥到极致，以 “一站式解决方案提供商” 的身份构建竞争壁垒。目前其已通过英伟达严格的质量测试并获得大额采购订单，英伟达计划下月在 GTC 2026 大会上，首次展示搭载三星 HBM4 的 Vera Rubin 产品，双方的深度合作也让三星在 AI 存储供应链中的地位持续强化。

此次量产也让三星在与 SK 海力士的竞争中抢占先机，不过英伟达的 “双供应商” 策略仍让市场格局充满变数。据悉英伟达将 HBM4 订单同时分给三星与 SK 海力士，核心出于供应链安全考量，避免单一供应商带来的产能风险。两家企业各有优劣：三星胜在技术率先落地和综合工艺能力，SK 海力士则在良率（88% vs 三星 85%）和单价（115 美元 vs 三星 120 美元）上略有优势。这种竞争格局既推动韩国厂商持续技术迭代，也让英伟达掌握了供应链的主动权，有消息称英伟达已要求供应商在规定时间内建立 6 个月安全库存，保障其 AI 加速器的量产需求。

三星 HBM4 的量产虽掀起技术热潮，但行业也开始探讨存算一体时代下独立存储器的未来。当前台积电 SoIC 技术已实现 SRAM 与逻辑芯片的直接堆叠，IBM 更是在实验室中研发出在 HBM 中介层集成存内计算单元的原型芯片，据称能让推荐系统推理速度提升约 17 倍，存储器与计算单元的融合成为大势所趋。有行业观点推测，HBM4 或许会是最后一代纯独立式高端存储器，未来存储与计算的边界将逐渐模糊。

而在 HBM4 之后，存储技术的创新仍在加速。三星、美光等企业已公布 3D DRAM 技术路线图，晶体管堆叠（CFET）、铁电存储器（FeRAM）成为研发重点；业内预测 2026 年有望出现 1Tbps 带宽的 HBM5，JEDEC 正在制定的 LPDDR6 标准，也将进一步适配 AI 边缘计算的轻量化、高速化需求。

三星 HBM4 的率先量产，是其弥补上一代产品市场失地、重掌 AI 存储话语权的关键一步，也让全球 AI 存储产业的竞争进入新阶段。未来随着存算一体技术的发展、新一代存储黑科技的落地，高端存储市场的格局还将持续重构，而技术创新与供应链协同，将成为企业立足的核心竞争力。对于三星而言，如何将技术优势转化为持续的市场优势，如何应对存算一体的产业变革，将是其守住 AI 存储主导权的重要考验。